Rapidus ускоряет разработку 1-нм техпроцесса, чтобы отставать от TSMC всего на полгода

Президент и генеральный директор японской компании Rapidus Ацуси Коикэ заявил, что компания ускоряет разработку передовых полупроводниковых технологий. Цель — сократить отставание от тайваньского гиганта TSMC на узле 1 нм примерно до шести месяцев.

Согласно планам, TSMC может первой развернуть свои техпроцессы 1,4 нм и 1 нм на новом заводе Fab 25 в Центральном научно-промышленном парке Тайваня. Общий объем инвестиций в проект оценивается примерно в 490 млрд долларов, а на площадке планируется построить четыре фабрики. Первая фаза, включающая две фабрики, будет специализироваться на производстве по нормам 1,4 нм с запуском массового производства во второй половине 2028 года. На второй фазе планируется переход на 1 нм. По слухам, именно на узле 1 нм TSMC впервые применит оборудование для литографии High-NA EUV. Разработка технологии должна быть завершена до 2030 года, а массовое производство начнется примерно в 2030 году.

В свою очередь, Rapidus планирует начать разработку техпроцесса 1,4 нм уже в этом году, а к массовому производству приступить в 2029 году, что может совпасть по времени с планами Samsung. Чтобы сократить отставание от TSMC на узле 1 нм до полугода, Rapidus, вероятно, потребуется выйти на массовое производство в период с конца 2030 по 2031 год.

Rapidus — это совместное предприятие восьми японских компаний, включая Sony, Toyota, NTT, Mitsubishi, NEC, Kioxia и SoftBank, основанное в 2022 году с целью локализации проектирования и производства передовых полупроводников. В настоящее время компания строит в городе Титосэ на Хоккайдо инновационную интегрированную производственную фабрику (IIM-1), где к 2027 году планируется начать массовое производство чипов по нормам 2 нм.

Кроме того, Rapidus намерена в 2027 финансовом году (с апреля 2027 по март 2028) начать строительство второй фабрики, на которой в будущем будут внедряться более совершенные техпроцессы 1,4 нм и 1 нм.