Samsung запустила массовое производство 236-слойной 3D NAND-памяти на заводе в Сиане

Завод Samsung Electronics в китайском Сиане официально начал массовое производство флэш-памяти NAND V8 с 236 слоями. Модернизация производственной линии, начатая в 2024 году, направлена на повышение производительности и эффективности для удовлетворения растущего спроса на высокоскоростные накопители в эпоху ИИ.

Следующей целью для сианьского завода станет запуск производства 286-слойной памяти V9. Соответствующая линия будет размещена в корпусе X2, а массовое производство планируется начать до конца 2026 года.

Количество слоев в 3D NAND является ключевым показателем, напрямую влияющим на ёмкость, скорость и стоимость чипа. В этой гонке китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) уже освоила массовый выпуск 294-слойной памяти, а её технология Xtacking 4.0 позволяет создавать структуры с более чем 300 слоями. Это делает продукцию YMTC серьёзным конкурентом на рынке.

В ответ на усиление конкуренции южнокорейские гиганты, Samsung и SK Hynix, применяют стратегию «защиты цен», планируя сократить объёмы производства NAND в 2026 году. По данным Omdia, это позволит им перераспределить ресурсы в пользу более прибыльных продуктов, таких как DRAM и память HBM.

Несмотря на это, Samsung и SK Hynix вместе контролируют более 60% мирового рынка NAND, а YMTC уже стала третьим по величине производителем 3D NAND в мире. Китайский производитель демонстрирует лидирующие показатели плотности хранения и высокий процент выхода годных изделий, что усиливает его ценовую конкурентоспособность. Ожидается, что вторая половина 2026 года станет важным этапом для отрасли: Samsung планирует выпуск V9, а YMTC — запуск третьей очереди завода в Ухане, который почти удвоит её производственные мощности.