Intel продемонстрировала совместимую с производством интеграцию контактов и затворов для 2D-транзисторов

Intel Foundry совместно с исследовательским центром imec представила технологию интеграции критически важных модулей для создания полевых транзисторов на основе двумерных материалов (2DFET) в условиях стандартного 300-миллиметрового производства. Это важный шаг на пути к преодолению физических ограничений кремния.

Современные передовые техпроцессы, такие как Intel 18A, используют транзисторы с круговым затвором (GAA), а следующим шагом станут комплементарные полевые транзисторы (CFET). Однако дальнейшее уменьшение размеров приблизит кремниевые каналы к их физическим пределам. В качестве решения индустрия рассматривает двумерные материалы, такие как дисульфид вольфрама (WS₂) и дисульфид молибдена (MoS₂), которые могут формировать каналы толщиной в несколько атомов.

Основной проблемой до сих пор была интеграция этих хрупких материалов в серийное производство. Intel и imec представили совместимую с фабриками схему контактов и затворов. Инновация заключается в использовании селективного травления оксида для формирования контактов сверху по дамасской технологии, что сохраняет целостность чувствительных 2D-каналов.

Хотя коммерческое использование 2D-транзисторов ожидается не раньше второй половины 2030-х или даже 2040-х годов, данная работа позволяет уже сейчас оценивать перспективы новых материалов в условиях, приближенных к реальному производству. Это снижает риски и ускоряет разработку будущих технологических узлов.

Для Intel Foundry это демонстрация долгосрочных исследований, направленных на обеспечение отрасли решениями на десятилетия вперед, и подчеркивает важность учета производственной реализуемости уже на ранних этапах разработки.