Китайские инженеры готовятся к 2 нм без EUV: патент Huawei 2021 года описывает технологию SAQP

В развитии передовых полупроводниковых техпроцессов узлы ниже 5 нм обычно требуют использования литографии в крайнем ультрафиолете (EUV). Технология DUV, как считается, достигает своего предела на 7 нм, однако это не предел для китайских разработчиков, которые нацелились на освоение 2 нм.

В условиях, когда доступ к EUV-оборудованию ограничен, развитие технологий на основе DUV становится стратегической необходимостью. Как сообщает издание TrendForce, ещё в 2021 году компания Huawei подала патент, описывающий применение технологии SAQP (самосовмещающаяся четверная паттернизация). Эта методика теоретически позволяет достичь уровня 2 нм без использования EUV-степперов.

Согласно патенту, применение DUV-литографии в сочетании с SAQP позволяет получить шаг затвора транзистора менее 21 нм, что соответствует критериям 2 нм техпроцесса.

Важно отметить терминологическую неточность, встречающуюся в некоторых переводах. Четверная паттернизация (patterning) — это не то же самое, что четверная литография (lithography). Последняя подразумевала бы четыре отдельные операции экспонирования, что было бы непрактично как с технической, так и с экономической точки зрения.

Исследования Huawei не ограничиваются 2 нм. Компания также обладает многочисленными патентами, связанными с транзисторами со всенаправленным затвором (GAA) и комплементарными транзисторами CFET. CFET-технология считается одной из ключевых для освоения узлов от 1 нм и ниже, вплоть до 0.1 нм.

Стоит подчеркнуть, что наличие патентов не означает немедленного запуска массового производства. Однако эти разработки демонстрируют, что китайские исследователи не только продолжают поиск альтернативных путей в передовых техпроцессах, но и могут сформировать собственную, независимую технологическую траекторию.

ИИ: Развитие альтернативных технологий, таких как SAQP, — это не просто обход санкций, а потенциальная переоценка стоимости производства. Если Китаю удастся создать конкурентоспособные 2 нм чипы на более дешёвом DUV-оборудовании, это может изменить расстановку сил на глобальном полупроводниковом рынке, где TSMC, Samsung и Intel делают огромные ставки на дорогостоящие EUV и High-NA EUV системы.