США инвестируют в разработку нового источника EUV: мощность 1000 Вт, в 4 раза больше, чем у ASML

Технология экстремального ультрафиолета (EUV) стала незаменимой для производства чипов по нормам 5 нм и ниже. Единственным в мире производителем EUV-литографов остаётся голландская компания ASML. Теперь США решили усилить свои позиции в этой области, официально инвестировав в стартап.

Компания называется xLight. Её цель — разработка источника EUV нового поколения. В отличие от сложной плазменной технологии, используемой ASML, xLight работает над созданием литографической системы, источником света в которой будет лазер на свободных электронах (FEL). Прототип планируется представить в 2028 году.

В июле этого года компания привлекла инвестиции на сумму 40 миллионов долларов, а недавно получила финансирование в размере 1,5 миллиарда долларов от Офиса исследований и разработок CHIPS (CRDO), который входит в состав Министерства торговли США.

Глава Министерства торговли США заявил, что платформа FEL от xLight представляет собой прорывную инновацию, которая восстановит лидерство США, обеспечит цепочки поставок и гарантирует, что следующее поколение полупроводников будет создано в Америке.

Примечательно, что генеральным директором xLight является бывший глава Intel Пэт Гелсингер. Ранее он также подчёркивал важность этого лазера FEL, называя возрождение закона Мура и восстановление лидерства США в технологиях источников света «возможностью раз в поколение». По его словам, при поддержке федерального правительства xLight превратит эту возможность в реальность.

Преимущество лазера FEL от xLight заключается в значительно более высокой мощности по сравнению с текущими EUV-литографами — до 1000 Вт. Для сравнения, мощность источника EUV от ASML составляет около 250 Вт. Таким образом, по этому параметру разработка превосходит текущие машины ASML в 4 раза, а в будущих планах компании фигурирует даже мощность в 2000 Вт.

Такая мощность не только может значительно повысить эффективность производства чипов с использованием EUV, но и позволит одному источнику FEL обслуживать несколько литографов одновременно. Кроме того, заявленный срок службы системы составляет 30 лет, что может существенно снизить стоимость этапа литографии в производстве чипов.

Если вспомнить недавнюю новость о финансировании другой американской компании, работающей над источниками EUV, Substrate, становится очевидно, что США действительно стремятся вернуть лидирующие позиции в технологиях EUV следующего поколения. Интересно, что технология источника света для современных EUV-литографов также изначально была американской (компания Cymer), но позже была приобретена ASML.

Эти две компании — xLight и Substrate — представляют разные технологические подходы (рентгеновское излучение и лазер на свободных электронах). По сути, они напоминают проекты, о которых ранее активно говорили в Китае. У таких технологий есть много преимуществ, таких как высокая точность или мощность, но их инженерная реализация сопряжена с серьёзными трудностями. Технология EUV от ASML по-прежнему остаётся наиболее оптимальным и готовым к массовому производству решением.