Китайская компания ChangXin представила DDR5-память со скоростью до 8000 Мбит/с

Китайская компания ChangXin Storage Technology (CXMT) на выставке IC China 2025 официально представила новые продукты DDR5 и LPDDR5X, бросая вызов ведущим мировым производителям памяти из Южной Кореи и США.

Согласно данным производителя, новое семейство DDR5 демонстрирует максимальную скорость передачи данных до 8000 Мбит/с при максимальной плотности чипа 24 Гбит. Оба показателя соответствуют международным передовым стандартам. Компания также анонсировала семь модулей памяти, предназначенных для серверов, рабочих станций и персональных компьютеров.

Кроме того, на выставке был показан выпущенный ранее в этом месяце LPDDR5X, ориентированный на флагманские мобильные устройства. Этот стандарт поддерживает скорость до 10667 Мбит/с, максимальную плотность чипа 16 Гбит и предлагает различные варианты сборки модулей объёмом 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ и 32 ГБ.

Эксперты полупроводниковой отрасли отмечают, что производительность памяти от ChangXin заслуживает внимания: скорость DDR5 в 8000 Мбит/с на 25% выше, чем у предыдущего поколения (6400 Мбит/с). По техническим характеристикам китайская компания как минимум догнала южнокорейских конкурентов. Отраслевые аналитики считают, что разработки ChangXin уже достаточно зрелы для использования в серверах на базе самых современных процессоров.

По данным южнокорейского издания Business Korea со ссылкой на Nikkei и Counterpoint Research, доля ChangXin Storage на мировом рынке DRAM в третьем квартале достигла 8%, что вывело компанию на четвёртое место в рейтинге. Другой китайский производитель, Yangtze Memory (YMTC), занял 13% рынка NAND-памяти.

Профессор Хван Чхоль Сон из Сеульского национального университета заявил:

«Если рассматривать только уровень развития технологий памяти, то разрыв между Южной Кореей и Китаем практически исчез. Когда через пять лет наступит эра 3D DRAM, для которой не требуется оборудование EUV-литографии, Китай укрепит свои позиции».

Переход на 3D DRAM, где ячейки памяти размещаются в трёхмерной структуре, может изменить конкурентный ландшафт к 2030 году, поскольку снизит зависимость от сложного и дорогого оборудования для литографии.