Samsung анонсировала память HBM4 с частотой 11 Гбит/с благодаря передовому 1с-процессу

На рынке памяти HBM компания Samsung, ранее бывшая лидером, значительно отставала от SK Hynix и Micron, став третьим производителем, освоившим массовое производство. Однако с HBM4 Samsung намерена взять реванш.

Недавно появилась информация, что HBM3e от Samsung спустя 18 месяцев после начала производства наконец получила сертификацию NVIDIA. Ранее эти модули уже были одобрены AMD, что в целом открывает компании путь к поставкам.

Учитывая, что SK Hynix уже захватила преимущество на рынке HBM3e, Samsung вряд ли удастся отвоевать значительную долю. Поэтому её основная цель сосредоточена на новейшей памяти HBM4.

Недавно SK Hynix объявила о мировом первенстве в запуске массового производства HBM4, но при этом использовала процесс 1b пятого поколения 10-нм класса. Samsung же применяет для HBM4 самый передовой процесс — 1c шестого поколения 10-нм класса DRAM, запущенный на фабрике P5 в Пхёнтхэке.

Благодаря технологии 1c и наработкам в области 4-нм логических процессов, Samsung удалось добиться для HBM4 частоты 11 Гбит/с. Это означает прирост производительности на 37,5% по сравнению со стандартным HBM4 с частотой 8 Гбит/с.

NVIDIA, чтобы противостоять ожидаемым в следующем году AI-ускорителям серии MI450 от AMD, требует от поставщиков повысить частоту HBM4 до 10 Гбит/с. То, что Samsung первой достигла 11 Гбит/с, очевидно, поможет ей получить заказы от NVIDIA.

Пока что Samsung совершила технологический прорыв, но окончательное завоевание заказов от NVIDIA и AMD будет зависеть от последующих факторов, включая объёмы производства и ценообразование.