Samsung откладывает массовое производство QLC NAND V9 до первой половины 2026 года

Samsung столкнулась с неожиданными проблемами в разработке флеш-памяти NAND девятого поколения. Технологический гигант вынужден отложить массовое производство чипов V9 QLC NAND как минимум до первой половины 2026 года, сообщает ZDNet со ссылкой на отраслевые источники. Накопители V9 NAND используют 280-слойную структуру, массовое производство которой началось ещё в апреле 2024 года. Компания начала с версий TLC (трехуровневые ячейки) ёмкостью 1 ТБ, а затем в сентябре прошлого года перешла к более сложным вариантам QLC (четырёхуровневые ячейки). Однако именно здесь возникли проблемы. Несколько инсайдеров отрасли сообщают ZDNet, что первые партии чипов V9 QLC имели фундаментальные проблемы с дизайном, которые вызвали проблемы с производительностью.

Что особенно расстраивает Samsung, так это то, что, хотя компания по-прежнему доминирует на рынке NAND в целом, она отстаёт именно в технологии QLC. Их топовые продукты QLC до сих пор используют более старую технологию поколения V7 — они даже не выпускали QLC-версию своих чипов V8. Samsung действительно продемонстрировала свое новое поколение TLC NAND класса V10 ещё в феврале, хвастаясь более чем 400 слоями и ёмкостью 1 ТБ. Однако компания не сообщила, когда эти чипы появятся в производстве. Тем временем конкуренты не сидят сложа руки. В Японии Kioxia анонсировала собственную память NAND класса V10 с 332 слоями, хотя она также ещё работает над подготовкой к массовому производству. Более того, SK Hynix недавно добилась прорыва со своими первыми чипами QLC NAND на 321 слое и ёмкостью 2 ТБ.

Источник: TrendForce