Samsung достигла «золотого выхода» в производстве памяти HBM4

Samsung достигла значительного прогресса в производстве памяти HBM4 нового поколения, достигнув выхода годной продукции на уровне, близком к 80%. В полупроводниковой отрасли этот результат называют «золотым выходом».

Когда компания начала массовое производство этих модулей в феврале текущего года, показатель составлял менее 60%. Однако ускорение работ и оптимизация технологических процессов позволили достичь цели, изначально запланированной на конец года, с большим опережением.

Достигнутый результат существенно укрепляет позиции Samsung в борьбе за сегмент памяти для вычислений искусственного интеллекта, где сильные рыночные позиции удерживает SK Hynix. Память HBM4 корейского производителя базируется на технологическом процессе DRAM класса 10 нм и 4-нанометровом логическом слое.

Модули, состоящие из 12 слоев (12-Hi), предлагают до 36 ГБ емкости на один стек при пропускной способности до 3,3 ТБ/с. По сравнению с предыдущим поколением HBM3E новая конструкция отличается на 40% более высокой энергоэффективностью и улучшенным отводом тепла.

Память HBM4 от Samsung уже используется компанией AMD в ускорителях серии Instinct MI400, включая модели MI455X, предназначенные для ИИ-центров обработки данных. Параллельно Samsung ведет работы над вариантом HBM4E, у которого показатель выхода годной продукции в тестах надежности достиг 70%.

Модули HBM4E должны предлагать до 48 ГБ емкости на стек и пропускную способность порядка 4 ТБ/с. Производитель рассчитывает, что растущие показатели выхода позволят ему в будущем получить заказы на поставку памяти для чипов NVIDIA Rubin Ultra и следующего поколения ускорителей AMD MI500.