NEO Semiconductor представила революционную архитектуру памяти X-HBM для чипов ИИ

Компания NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий памяти, анонсировала первую в мире архитектуру Extreme High Bandwidth Memory (X-HBM), предназначенную для чипов искусственного интеллекта. Новое решение создано для удовлетворения растущих потребностей генеративного ИИ и высокопроизводительных вычислений, предлагая беспрецедентную производительность с 32-килобитной шиной данных и потенциальной плотностью до 512 Гбит на кристалл. Это в 16 раз превышает пропускную способность и в 10 раз — плотность по сравнению с традиционной памятью HBM.

«X-HBM — это не постепенное улучшение, а фундаментальный прорыв», — заявил основатель и CEO NEO Semiconductor Энди Сю. «С 16-кратной пропускной способностью или 10-кратной плотностью по сравнению с текущими технологиями памяти, X-HBM дает производителям чипов ИИ возможность выйти на новый уровень производительности на годы раньше существующих планов. Это переломный момент для ускорения ИИ-инфраструктуры, снижения энергопотребления и масштабирования возможностей ИИ в различных отраслях».

Архитектура X-HBM, основанная на запатентованной технологии 3D X-DRAM, преодолевает давние ограничения по пропускной способности и плотности. Для сравнения: HBM5, который находится в разработке и ожидается на рынке только к 2030 году, будет поддерживать лишь 4-килобитные шины данных и 40 Гбит на кристалл. По прогнозам Корейского института передовых технологий (KAIST), даже HBM8, который появится около 2040 года, предложит лишь 16-килобитные шины и 80 Гбит на кристалл. В то же время X-HBM уже сейчас обеспечивает 32-килобитные шины и 512 Гбит на кристалл, позволяя обойти целое десятилетие постепенных улучшений традиционной технологии HBM.

Ключевые преимущества X-HBM:

• Масштабируемость — ускоряет передачу данных между GPU и памятью для более эффективного масштабирования ИИ.
• Высокая производительность — раскрывает неиспользованный потенциал GPU для ускорения ИИ-задач.
• Энергоэффективность — сокращает энергопотребление и аппаратные требования за счет консолидации ИИ-инфраструктуры.

6 августа в 21:00 по московскому времени CEO NEO Semiconductor Энди Сю выступит с докладом о технологии X-HBM на конференции FMS: the Future of Memory and Storage в Калифорнии. Мероприятие пройдет с 5 по 7 августа 2025 года в конференц-центре Санта-Клары. Компания также представит свою разработку на стенде №507.

Источник: NEO Semiconductor