Директор Intel: травление может заменить литографию в качестве основы производства чипов
Согласно сообщениям СМИ, директор Intel заявил, что будущие конструкции транзисторов (такие как GAAFET и CFET) могут снизить зависимость производства чипов от передового литографического оборудования, особенно EUV-литографии. Это мнение бросает вызов текущей парадигме производства передовых чипов.
В настоящее время EUV-литографические машины ASML являются ключевым оборудованием для производства высокопроизводительных чипов (например, 7 нм и менее), отвечая за «печать» микроскопических схем на кремниевых пластинах.
Однако директор Intel считает, что новые конструкции, такие как транзисторы с кольцевым затвором (GAAFET) и комплементарные полевые транзисторы (CFET), значительно повысят важность этапов производства после литографии (особенно травления), уменьшая доминирование литографии в общем процессе.
Производство чипов начинается с литографии — переноса схемы на поверхность пластины. Затем добавляются материалы методом осаждения, а с помощью травления избирательно удаляются лишние слои, формируя транзисторы и схемы.
Ключевая особенность новых транзисторов — «обёрнутая» структура затвора (GAAFET) или стопки транзисторов (CFET). Такая трёхмерная сложность требует более точного травления. Чтобы «обернуть» затвор со всех сторон или создать стопку структур, производителям нужно более точно удалять лишний материал, особенно в горизонтальной плоскости.
Таким образом, по мнению директора Intel, будущее производство может сместить акцент с уменьшения размеров элементов через литографию на более сложные и критические процессы травления, необходимые для точного формирования трёхмерных структур. Это может привести к серьёзным изменениям в технологиях производства чипов.
0 комментариев