NEO Semiconductor представила революционную 3D X-DRAM технологию на базе IGZO

Компания NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий для 3D NAND и 3D DRAM, объявила о прорывном достижении в своей линейке 3D X-DRAM — первых в отрасли ячейках памяти 1T1C и 3T0C на базе IGZO. Эта технология обещает беспрецедентную плотность, энергоэффективность и масштабируемость для самых требовательных приложений.

Новые конструкции 1T1C и 3T0C сочетают производительность DRAM с технологичностью производства NAND, обеспечивая плотность до 512 Гбит — в 10 раз выше, чем у традиционной DRAM. Тестовые образцы ожидаются в 2026 году.

Ключевые преимущества:

• Рекордное время удержания заряда — до 450 секунд благодаря технологии IGZO, что снижает энергопотребление на обновление.
• Подтверждённая скорость чтения/записи — 10 наносекунд по данным TCAD-моделирования.
• Совместимость с существующими производственными линиями 3D NAND с минимальными изменениями.
• Высокая пропускная способность и низкое энергопотребление за счёт гибридного монтажа.
• Оптимизация для ИИ, edge-вычислений и in-memory processing.

Линейка 3D X-DRAM:

• 1T1C — основное решение для высокоплотной DRAM, совместимое с HBM.
• 3T0C — оптимизировано для операций считывания тока (ИИ и in-memory computing).
• 1T0C — плавающая структура для гибридных архитектур памяти и логики.

Компания представит технологию на 17-й IEEE International Memory Workshop с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее (Калифорния).