Компания NEO Semiconductor объявила 23 апреля об успешном прохождении проверки концепции (proof-of-concept, POC) своей технологии 3D X-DRAM. Технология демонстрирует возможность производства DRAM нового класса высокой плотности с использованием существующей инфраструктуры для 3D NAND. Одновременно
Читать дальше →
Компания NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий для 3D NAND и 3D DRAM, объявила о прорывном достижении в своей линейке 3D X-DRAM — первых в отрасли ячейках памяти 1T1C и 3T0C на базе IGZO. Эта технология обещает беспрецедентную плотность, энергоэффективность и
Читать дальше →
