Разработана самая быстрая в мире флэш-память

Вчера в 21:57 / Технологии → Новости / Технологии

Группа исследователей из Университета Фудань в Шанхае, установив новый стандарт производительности флэш-памяти, разработала сверхбыстрое энергонезависимое запоминающее устройство пикосекундного уровня. Но что такое пикосекундная память? Это память, которая может считывать и записывать данные в течение одной тысячной наносекунды или одной триллионной секунды.

Недавно разработанный чип, получивший название «PoX» (Phase-change Oxide), способен переключаться со скоростью 400 пикосекунд, что существенно превышает предыдущий мировой рекорд в 2 миллиона операций в секунду.

Традиционные SRAM (статическая память с произвольным доступом) и DRAM (динамическая память с произвольным доступом) могут записывать данные за время от 1 до 10 наносекунд. Однако они энергозависимы, что означает, что все сохраненные данные теряются сразу после отключения питания.

С другой стороны, флэш-память, например, та, что используется в SSD и USB-накопителях, является энергонезависимой, поэтому она сохраняет данные даже без питания. Недостатком является то, что она намного медленнее, обычно это занимает микросекунды или миллисекунды. Это ограничение скорости делает флэш-память непригодной для современных систем ИИ

Thumbnail: Искусственный интеллект Иску́сственный интелле́кт (ИИ; англ. artificial intelligence, AI) — свойство искусственных интеллектуальных систем выполнять творческие функции, которые традиционно считаются прерогативой человека (не следует путать с искусственным сознанием); наука и технология создания интеллектуальных машин, особенно интеллектуальных компьютерных программ. Искусственный интеллект связан со сходной задачей использования компьютеров для понимания человеческого интеллекта, но не обязательно ограничивается биологически правдоподобными методами. Существующие на сегодня интеллектуальные системы имеют довольно узкие области применения. Википедия

(искусственного интеллекта), которым часто требуется перемещать и обновлять большие объемы данных практически мгновенно во время обработки в реальном времени.

Поскольку PoX является энергонезависимым типом памяти, он может сохранять данные, не требуя питания в режиме ожидания. Его сочетание чрезвычайно низкого энергопотребления и сверхбыстрой скорости записи на пикосекундном уровне может помочь устранить давнее узкое место памяти в оборудовании ИИ, где большая часть используемой энергии теперь тратится на перемещение данных, а не на их обработку.

Профессор Чжоу Пэн и его команда из Университета Фудань полностью перестроили структуру флэш-памяти, где вместо традиционного кремния они использовали двумерный графен Дирака, известный своей способностью позволять зарядам быстро и свободно перемещаться.

Они еще больше усовершенствовали конструкцию, отрегулировав гауссову длину канала памяти, что позволило им создать явление, известное как 2D суперинжекция. Это приводит к исключительно быстрому и почти неограниченному потоку заряда в слой хранения памяти, эффективно обходя ограничения скорости, с которыми сталкивается обычная память.

«Используя алгоритмы ИИ для оптимизации условий тестирования процессов, мы значительно продвинули эту инновацию и проложили путь для ее будущих применений», — сказал Чжоу в интервью агентству Синьхуа.

Чтобы ускорить реальное внедрение этой технологии, исследовательская группа, как сообщается, тесно сотрудничает с производственными партнерами на протяжении всего процесса НИОКР. Проверка на ленте уже завершена, что дало многообещающие ранние результаты.

Лю Чуньсэнь, научный сотрудник Государственной ключевой лаборатории интегрированных микросхем и систем в Университете Фудань, сказал: «Теперь мы смогли создать малогабаритный, полностью функциональный чип. Следующий шаг — его интеграция в существующие смартфоны и компьютеры. Таким образом, при развертывании локальных моделей на наших телефонах и компьютерах мы больше не столкнемся с такими узкими местами, как задержка и нагрев, вызванные существующей технологией хранения данных».

Источник: Tomshardware.com