Узел Intel 18A превосходит TSMC N2 и Samsung SF2 в классе производительности 2 нм

14 апреля 2025, 19:47 / Технологии → Новости / Технологии

Узел Intel

Thumbnail: Intel «И́нтел» («Intel Corp.», МФА: [ˈɪntɛl ˌkɔːpə'reɪʃən]) — производитель электронных устройств и компьютерных компонентов (включая микропроцессоры, наборы системной логики (чипсеты) и др). Штаб-квартира — в Санта-Кларе (США, штат Калифорния). Википедия

18A — это не только выход годных изделий и плотность (которые по-прежнему являются очень важными факторами), но и производительность. По данным тайваньского СМИ 3C News, ссылающегося на исследования и расчеты TechInsights, новым лидером производительности узла является Intel 18A. По пользовательской шкале, используемой TechInsights, Intel 18A получает оценку 2,53, в то время как оценка производительности TSMC

Thumbnail: TSMC TSMC (аббревиатура от англ. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) — тайваньская компания, занимающаяся изучением и производством полупроводниковых изделий. Основана в 1987 году правительством Китайской республики и частными инвесторами. Штаб-квартира TSMC находится в г. Википедия

N2 составляет 2,27, а оценка производительности Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

SF2 — 2,19. Это все среди двух узлов класса нм, где Intel лидирует в этой категории. Будучи первым узлом с Backside Power Delivery Network (BSPDN), он появится в процессорах Panther Lake в конце 2025 года для тестирования и в начале 2026 года для поставок. Эта новая архитектура питания повышает эффективность компоновки и использование компонентов на 5–10%, снижает сопротивление межсоединений и повышает производительность питания ISO до 4% благодаря значительному снижению собственного сопротивления по сравнению с традиционной маршрутизацией питания на входе. По сравнению со своим предшественником Intel 3, процесс 18A обеспечивает 15%-ное улучшение производительности на ватт и позволяет разместить на 30% больше транзисторов на той же площади.

Благодаря конструкции RibbonFET он вошел в рискованное производство. По словам Intel, «этот последний этап касается стресс-тестирования массового производства перед масштабированием до больших объемов во второй половине 2025 года». Что касается других аспектов, таких как плотность SRAM, высокопроизводительные ячейки SRAM сократились с 0,03 мкм² в Intel 3 до 0,023 мкм² в Intel 18A, в то время как ячейки высокой плотности сократились до 0,021 мкм², что отражает коэффициенты масштабирования 0,77 и 0,88 соответственно и бросает вызов предыдущим предположениям о том, что масштабирование SRAM вышло на плато. Инновационный подход Intel «вокруг массива» PowerVia решает проблемы падения напряжения и помех путем маршрутизации переходных отверстий питания к схемам ввода-вывода, управления и декодера, освобождая область битовой ячейки от фронтальных источников питания. Результатом является плотность макробитов 38,1 Мбит/мм², что позволяет Intel конкурировать с N2 от TSMC. Все это в сочетании с BSPDN формирует мощный узел. Мы с нетерпением ждем возможности заполучить в будущем немного кремния 18A и запустить его в наших лабораториях для тестирования.