Samsung анонсирует 10-е поколение V-NAND

Samsung еще не представила в рознице твердотельные накопители PCIe 5.0 с полной плотностью — мы не учитываем PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 990 Evo и 990 Evo Plus — но она готовит флэш-память, которая сможет питать не только самые быстрые твердотельные накопители PCIe 5.0, но и поддерживать диски PCIe 6.0 следующего поколения. Новые устройства 3D NAND с 4xx-слойной структурой получат скорость интерфейса 5,6 ГТ/с и будут представлены на предстоящей Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC).

Сверхбыстрая память Samsung V-NAND 10-го поколения поддерживает архитектуру TLC (Tri-Level Cell, или три бита на ячейку) и имеет емкость 1 ТБ (128 ГБ) на кристалл. Samsung утверждает, что ее новая 4xx-слойная 3D TLC NAND имеет плотность хранения 28 Гбит/мм². Это лишь немного ниже, чем у 1 ТБ 3D QLC V-NAND от Samsung, которая имеет плотность хранения 28,5 Гбит/мм², в настоящее время являясь самой плотной энергонезависимой памятью в мире.

Текущие чипы NAND обычно имеют восемь или 16 кристаллов NAND на пакет. Это означает, что пакеты с 16 кристаллами обеспечат до 2 ТБ памяти, а четыре таких пакета на одностороннем SSD обеспечат 8 ТБ памяти — или до 16 ТБ на двухстороннем диске M.2 2280. (Обратите внимание, что Samsung уже давно не выпускала новые двухсторонние SSD, предпочитая придерживаться односторонних конструкций.)

Пожалуй, самой важной особенностью 10-го поколения V-NAND от Samsung является скорость интерфейса: 5,6 ГТ/с, что значительно быстрее, чем 3,6 ГТ/с, представленные памятью YMTC с архитектурой Xtacking. При 5,6 ГТ/с это соответствует примерно 700 МБ/с, что означает, что 10 таких устройств могут заполнить интерфейс PCIe 4.0 x4, а 20 будет достаточно, чтобы заполнить сверхбыстрый интерфейс PCIe 5.0 x4. Именно это обеспечивает работу самых быстрых вариантов среди лучших в мире SSD. С потенциалом до 32 кристаллов в двух пакетах NAND это уже половина пути к достижению максимальной пропускной способности на интерфейсе PCIe 6.0 x4.

Samsung планирует представить свою память V-NAND 10-го поколения на выставке ISSCC 2025, и вполне разумно ожидать, что компания начнет массовое производство этой энергонезависимой памяти в следующем году. К сожалению, пока неясно, когда новая память найдет свое место в собственных твердотельных накопителях Samsung. Как правило, новые решения NAND можно использовать в различных розничных продуктах, включая USB-накопители, карты памяти, твердотельные накопители, смартфоны и многое другое. Даже если производство V-NAND 10-го поколения начнется в 2025 году, неясно, увидим ли мы эту память в твердотельных накопителях Samsung в следующем году.