SK hynix удалось снизить брак при выпуске HBM3E до 20 %

Производство микросхем HBM требует много кремниевых пластин. Уровень брака тоже высок. Исторически при выпуске HBM уровень выхода годных кристаллов не превышал 40–60 %. У SK hynix он достиг 80 %.

В интервью Financial Times директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун рассказал об оптимизации производственных процессов компании. Уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix достиг 80 %. Это превышает ожидания и демонстрирует успех компании. В 2025 году SK hynix планирует массовое производство 12-ярусной памяти HBM4. Партнёром компании выступает TSMC. Samsung собирается освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. Клиентам SK hynix сейчас наиболее интересны 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому компания сосредоточена на их производстве. Поставки 12-ярусных стеков HBM3E SK hynix начнёт в третьем квартале.