Исследователи из Университета Делавэра разработали оптический метод для детектирования магнитного состояния антиферромагнетиков — материалов, перспективных для создания сверхбыстрой и компактной электроники будущего.В отличие от обычных ферромагнетиков, в антиферромагнетиках спины соседних атомов
Читать дальше →
Явление, при котором спины электронов выстраиваются в определённом направлении после прохождения через хиральные материалы, является краеугольным камнем для будущей спинтронной электроники. Однако точный механизм этого эффекта оставался загадкой — до сих пор.Международная команда исследователей,
Читать дальше →
Ученые из Токийского научного института разработали теоретическую модель, объясняющую сложную температурную зависимость и смену знака аномального эффекта Холла (AHE), связанного со спиновой киральностью. Это явление возникает в магнитных металлах и считается ключевым для обнаружения таких структур,
Читать дальше →
Исследователи из Университета Страны Басков (EHU), Центра физики материалов, nanoGUNE и DIPC представили новый подход к преобразованию солнечной энергии и спинтронике. Работа решает давнюю проблему объёмного фотоэлектрического эффекта — необходимость в нецентросимметричных кристаллах — демонстрируя,
Читать дальше →
Исследователи из Центра Гельмгольца в Дрездене-Россендорфе обнаружили ранее не наблюдавшиеся колебательные состояния (состояния Флоке) в крошечных магнитных вихрях. В отличие от предыдущих экспериментов, требовавших энергоёмких лазерных импульсов, команда выяснила, что для их создания достаточно
Читать дальше →
Японские исследователи обнаружили, что антиферромагнитный металл NdRu2Al10 демонстрирует диодоподобный эффект — электрический ток может течь через него только в одном направлении, — и делает это без применения внешнего магнитного поля. Открытие описано в журнале Physical Review Letters.В отличие
Читать дальше →
Японские исследователи разработали новый метод, позволяющий напрямую выявлять скрытую магнитную структуру альтермагнетиков — нового класса антиферромагнетиков, перспективных для создания энергоэффективной электроники будущего.В отличие от обычных антиферромагнетиков, где магнитные моменты
Читать дальше →
Международная группа исследователей экспериментально подтвердила, что сверхтонкие плёнки диоксида рутения (RuO2) обладают альтермагнетизмом. Это явление представляет собой третий фундаментальный класс магнитных материалов, который может стать основой для более быстрой и плотной памяти будущего.
Читать дальше →
Ученые из Национальной лаборатории Эймса в сотрудничестве с группой Индранила Даса из Саха института ядерной физики (Индия) обнаружили неожиданную электронную особенность в соединениях переходных металлов, которая может проложить путь к новому классу спинтронных материалов для вычислительной техники
Читать дальше →
Исследовательская группа из Национального института науки и технологий Ульсана (UNIST) совершила прорыв в управлении спиновыми сигналами в новом магнитном материале, прокладывая путь для электронных устройств следующего поколения. Их работа демонстрирует метод обратимого переключения направления
Читать дальше →
Исследователи из Токийского научного института (Science Tokyo) продемонстрировали способ электрического управления хиральностью гибридных материалов. Метод позволяет обратимо настраивать хиральные электронные состояния, что открывает новые возможности для спинтроники и зарождающейся области
Читать дальше →
Ключевой особенностью спинтронных устройств является их способность использовать спиновые токи для передачи импульса, что обеспечивает энергоэффективное и высокоскоростное хранение и управление логическими сигналами. Обычно такие устройства управляются электрическими токами и полями, а ключевой
Читать дальше →
Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) и других институтов представили новый подход к созданию магнитных материалов с заданной хиральностью спинов. Вдохновением послужила форма архимедова винта. Работа опубликована в журнале Nature Nanotechnology.Хиральность спинов —
Читать дальше →
Международная группа учёных экспериментально подтвердила, что тонкие плёнки диоксида рутения (RuO₂) обладают альтермагнетизмом. Это свойство определяет третий фундаментальный класс магнитных материалов, который может преодолеть ограничения современных устройств памяти.Исследователи создали
Читать дальше →
Исследовательская группа под руководством Рё Симано из Токийского университета впервые визуализировала два различных механизма переключения спинов в антиферромагнетике — материале, в котором магнитные моменты атомов скомпенсированы. Один из этих механизмов может стать основой для создания
Читать дальше →
Ученые из Университета Васэда в Японии разработали новый подход к созданию наноразмерных логических устройств, используя коллективное поведение магнитных скирмионов — частицеподобных спиновых текстур в магнитных материалах.В отличие от предыдущих исследований, которые фокусировались на
Читать дальше →
Исследователи из Института молекулярных наук (IMS) окончательно разрешили двадцатилетнюю дискуссию о направлении спина электронов на поверхности золота.С помощью современного микроскопа фотоэлектронного импульса (PMM) на синхротроне UVSOR команда получила полные двумерные снимки поверхностного
Читать дальше →
Европейская исследовательская группа под руководством физиков из Словацкой академии наук разработала теоретический подход для управления спиновыми токами в графене с помощью ферроэлектрического переключения. Ученые показали, что изменение поляризации ферроэлектрического материала In₂Se₃ может
Читать дальше →
Новое исследование показало, что изолирующие буферные слои больше не требуются для ультратонких магнитных устройств типа «гоночная трасса», что открывает новые пути для их бесшовной интеграции с функциональными подложками.Современные вычислительные устройства полагаются на технологии памяти,
Читать дальше →
Современные компьютеры сталкиваются с проблемой: данные хранятся в магнитных накопителях, а обрабатываются с помощью электричества. Постоянный перенос информации между магнитной и электрической системами создаёт «бутылочное горлышко», ограничивающее скорость вычислений.
Новое теоретическое
Читать дальше →
