Компания Samsung опровергла сообщение СМИ о том, что ее продукты памяти с высокой пропускной способностью (HBM) не прошли тесты качества Nvidia из-за таких проблем, как чрезмерное нагревание и энергопотребление. Компания Samsung заявила, что успешно проводит испытания поставок HBM с
Читать дальше →
По сообщению агентства Reuters, микросхемы HBM3 и HBM3E производства Samsung Electronics не прошли тесты Nvidia , поэтому их нельзя использовать в ускорителях вычислений американской компании. Samsung отрицает эту информацию. По данным Business Korea, Samsung Electronics работает с разными компаниями,
Читать дальше →
Reuters сообщает, что Samsung сталкивается с проблемами с новейшими стеками памяти HBM3 и HBM3E. Они не прошли тесты Nvidia из-за проблем с чрезмерным нагревом и энергопотреблением. Эта неудача имеет большое значение для Samsung, поскольку Nvidia доминирует на мировом рынке процессоров для
Читать дальше →
Производство микросхем HBM требует много кремниевых пластин. Уровень брака тоже высок. Исторически при выпуске HBM уровень выхода годных кристаллов не превышал 40–60 %. У SK hynix он достиг 80 %.В интервью Financial Times директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун рассказал об
Читать дальше →
Компании Samsung Electronics и Arm объединяют усилия для создания технологии пакетной обработки параллельных данных (SIMD) для сетей связи 6G . Проект от Samsung будет использовать открытый исходный код, чтобы все желающие могли воспользоваться его результатами. Цель проекта —
Читать дальше →
Компания Samsung Electronics назначила Ён Хён Джуна своим новым руководителем отдела решений для устройств. Подразделение решений для устройств является частью подразделения полупроводников Samsung, которое Джун был выбран возглавить после 24 лет работы в компании. Джун будет
Читать дальше →
Samsung прилагает все усилия для разработки 3D DRAM, будущего компактной оперативной памяти, согласно ее презентации на IMW 2024. VCT (транзистор с вертикальным каналом) DRAM — первая гора, которая покорила эту цель, и Samsung планирует завершить ее первоначальную разработку. в следующем году, а
Читать дальше →
Компания Samsung Electronics назначила директором полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна. Он участвовал в разработке DRAM и NAND и руководил бизнесом по выпуску аккумуляторов. Новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменил Кюн Ки Хёна, который теперь будет управлять
Читать дальше →
Согласно сообщениям IT Home, Samsung и SK hynix окончательно прекращают выпуск своих линий по производству DDR3. Сообщается, что два корейских производителя памяти прекратят поставки памяти DDR3 на рынок во второй половине этого года. Обе компании вносят это изменение в ответ на растущий спрос на
Читать дальше →
Samsung пытается опередить Intel, разрабатывая продукцию со стеклянными подложками. Intel ведёт исследования в этой области уже 10 лет и планирует начать производство в 2030 году, а Samsung — в 2026 году.По данным ETNews, Samsung Electro-Mechanics активизировала закупки оборудования для
Читать дальше →
Samsung Electro-Mechanics ускоряет выход на рынок полупроводниковых стеклянных подложек, перенося закупку и установку оборудования на сентябрь и начиная эксплуатацию пилотной линии в четвертом квартале, что на квартал раньше первоначального плана, сообщает ETNews. Компания рассчитывает начать
Читать дальше →
Samsung Foundry собирается подробно рассказать о своей технологической технологии третьего поколения с использованием транзисторов с круговым затвором (GAA) на симпозиуме VLSI 2024 в июне. Технология называется SF2, и это будет первый 2-нм производственный процесс компании. Предполагается, что узел
Читать дальше →
Дополнительная информация о грядущем Nintendo Switch 2 продолжает просачиваться, на этот раз о компонентах, используемых в консоли. По данным Business Korea, Nintendo Switch 2 будет построена в основном из компонентов Samsung . В отчете говорится, что литейное производство Samsung будет создавать SoC
Читать дальше →
Успех SK hynix как основного поставщика памяти типа HBM подтверждён финансовой отчётностью компании. Samsung Electronics остаётся на вторых ролях в этом сегменте рынка, но заключила договор с AMD на поставку HBM3E на сумму $3 млрд. TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ сообщает о сделке
Читать дальше →
Intel стремится вернуть технологическое лидерство в области литографии. Компания TSMC , нынешний лидер, не могла оставить это без ответа и заявила, что к середине 2026 года освоит выпуск 1,6-нм чипов. На Североамериканском технологическом симпозиуме в Калифорнии руководство TSMC
Читать дальше →
С заявленной скоростью до 15,8 ГБ/с 1080 Pro превзойдет большинство лучших твердотельных накопителей на рынке. К сожалению, все это ложная реклама, и Quasarzone обнаружила, что 1080 Pro иногда работает хуже, чем флэш-накопитель USB 2.0. На AliExpress можно найти много непонятных вещей. Этот
Читать дальше →
Компания Seagate
проинформировала крупных клиентов о повышении цен на жёсткие диски, повторив шаг компании Western Digital.
В письме от 18 апреля Seagate назвала основными причинами повышения цен возросший спрос, недостаток производственных мощностей и инфляцию. Цены на все новые заказы
Читать дальше →
Глава американского представительства Samsung Electronics сообщил в LinkedIn , что Дженсен Хуанг одобрил использование микросхем памяти HBM3E в ускорителях вычислений от Nvidia . Поставки этих комплектующих могут начаться до конца полугодия. Южнокорейский ресурс Maeil Business Newspaper сообщил,
Читать дальше →
Компания Samsung представила новое поколение оперативной памяти LPDDR5X, пропускная способность которой составляет 10,7 Гбит/с. Новое поколение на 25% быстрее, чем LPDDR5X от Samsung первого поколения, и нацелено на повышение производительности искусственного интеллекта для мобильных устройств с
Читать дальше →
Компании Micron, Samsung и Western Digital , которые являются крупнейшими на рынке флеш-памяти, объявили о повышении цен на свою продукцию. Причины повышения разные, в том числе — последствия землетрясения на Тайване. При этом если у Micron могли действительно пострадать
Читать дальше →
