Компания SK hynix объявила о разработке нового решения для хранения данных на базе 321-слойной 4D NAND памяти с интерфейсом UFS 4.1. Чипы будут доступны в вариантах на 512 ГБ и 1 ТБ и появятся в смартфонах в первом квартале 2026 года.Новая память на 15% тоньше предыдущего поколения (0.85 мм против
Читать дальше →