SK hynix представила 321-слойную 4D NAND память с интерфейсом UFS 4.1
Компания SK hynix объявила о разработке нового решения для хранения данных на базе 321-слойной 4D NAND памяти с интерфейсом UFS 4.1. Чипы будут доступны в вариантах на 512 ГБ и 1 ТБ и появятся в смартфонах в первом квартале 2026 года.
Новая память на 15% тоньше предыдущего поколения (0.85 мм против 1.00 мм) и предлагает «лучшую в своем классе» производительность при низком энергопотреблении. Скорость последовательного чтения достигает 4.3 ГБ/с, что сопоставимо с лучшими SSD PCIe NVMe Gen 3. При этом скорость случайного чтения и записи увеличилась на 15% и 40% соответственно, а энергоэффективность улучшилась на 7%.
SK hynix представила текущее решение UFS 4.1 на базе 238-слойной 4D NAND на выставке Computex 2025. / Изображение: Future
Компания также подчеркивает оптимизацию новой памяти для работы с искусственным интеллектом на устройствах, что должно обеспечить стабильную работу AI-функций.
Кроме смартфонов, 321-слойная 4D NAND будет использоваться в SSD для ПК и центров обработки данных. Первые такие накопители появятся до конца 2025 года под брендом SK hynix, а также в продуктах партнеров, таких как Adata, Kingston и Solidigm.
| Характеристика | UFS 4.1 с 321-слойной 4D NAND | UFS 4.1 с 238-слойной 4D NAND |
|---|---|---|
| Количество слоев NAND | 321 | 238 |
| Толщина чипа | 0.85 мм | 1.00 мм |
| Макс. скорость чтения | 4.3 ГБ/с | 4.3 ГБ/с |
| Улучшение случайного чтения/записи | 15% / 40% | -- |
| Улучшение энергоэффективности | 7% | -- |
| Оптимизация для AI | Да | Нет |
| Макс. емкость | до 1 ТБ | до 1 ТБ |
| Доступность | Q1 2026 | Сейчас |
Источник: Tomshardware.com
0 комментариев