Anker представила в Европе компактное зарядное устройство Prime 160W GaN с сенсорным дисплеем

/ Новости / Технологии
Anker представила в Европе компактное зарядное устройство Prime 160W GaN с сенсорным дисплеем Компания Anker запустила продажи своего зарядного устройства Prime 160W в Европе, расширив географию распространения своей компактной и мощной зарядной технологии. После успешного дебюта в США зарядное устройство теперь доступно для покупки на сайте Anker и Amazon по цене 129 евро (~11600 руб.).
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Vivo представила компактный зарядный комплект GaN мощностью 120 Вт

/ Гаджеты
Vivo представила компактный зарядный комплект GaN мощностью 120 Вт Компания Vivo тихо выпустила в Китае полезный новый аксессуар — 120-ваттный Multi-Port Flash Charging Kit. Он идеально подходит пользователям, которые одновременно используют несколько энергоёмких устройств, таких как телефон и ноутбук, особенно тем, кто купил телефон без зарядного устройства в
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Imec запускает программу по разработке передовых силовых устройств на пластинах GaN диаметром 300 мм

/ Новости / Технологии
Imec запускает программу по разработке передовых силовых устройств на пластинах GaN диаметром 300 мм Исследовательский центр Imec, мировой лидер в области наноэлектроники и цифровых технологий, объявил о запуске программы открытых инноваций по разработке силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN) на пластинах диаметром 300 мм. К программе уже присоединились первые партнеры: компании
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Baseus представила компактный GaN-зарядник на 100 Вт с тремя портами

/ Гаджеты
Baseus представила компактный GaN-зарядник на 100 Вт с тремя портами Компания Baseus запустила в Китае компактное зарядное устройство EnerFill FN11 Mini Cube GaN. Новинка доступна на маркетплейсе JD.com по цене 199 юаней (~2400 руб.) и поставляется в комплекте с кабелем USB-C длиной 1,5 метра.Характеристики Baseus EnerFill FN11 Зарядное устройство обеспечивает
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Зарядное устройство Cootech 10 Super Power Charger mini с 120-ваттной зарядкой и компактным дизайном

/ Новости / Технологии
Зарядное устройство Cootech 10 Super Power Charger mini с 120-ваттной зарядкой и компактным дизайном Компания Cootech представила новое зарядное устройство — Cootech 10 Super Power Charger mini, отличающееся компактными размерами и поддержкой быстрой зарядки мощностью до 120 Вт.Устройство уже доступно для предзаказа, а продажи стартуют 31 июля в 10:00 по московскому времени. Стоимость первой
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Baseus представила компактный GaN-зарядник PicoGo AN12 мощностью 45Вт

/ Гаджеты
Baseus представила компактный GaN-зарядник PicoGo AN12 мощностью 45Вт Компания Baseus выпустила новый бюджетный зарядник PicoGo AN12 — компактное GaN-устройство мощностью 45Вт, сочетающее производительность и портативность. Благодаря тонкому корпусу и USB-C выходу, он подходит для зарядки смартфонов, планшетов и даже некоторых ноутбуков.Baseus PicoGo AN12: что
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Infineon продвигает производство GaN-пластин, а TSMC сворачивает бизнес

/ Новости / Технологии
Infineon продвигает производство GaN-пластин, а TSMC сворачивает бизнес Компания Infineon объявила о успешном прогрессе в разработке технологии производства нитрида галлия (GaN) на 12-дюймовых (300 мм) кремниевых пластинах. Первые образцы продукции планируется предоставить клиентам уже в четвёртом квартале 2025 года. Infineon подчеркивает, что её стратегия
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Infineon запускает производство 300-мм пластин GaN, пока TSMC уходит с рынка

/ Новости / Технологии
Infineon запускает производство 300-мм пластин GaN, пока TSMC уходит с рынка Компания Infineon объявила, что производство силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) идет по графику, подтвердив, что фабрика по выпуску 300-мм пластин начнет поставлять образцы клиентам в четвертом квартале 2025 года. Немецкий производитель полупроводников стал первой компанией,
Читать дальше →

Исследователи MIT разработали новый метод интеграции GaN-транзисторов в кремниевые чипы

/ Новости / Технологии
Исследователи MIT разработали новый метод интеграции GaN-транзисторов в кремниевые чипы По мере приближения производителей микросхем к физическим пределам кремния, исследователи ищут способы повышения производительности и энергоэффективности за счёт комбинирования различных материалов. Группа учёных из Массачусетского технологического института (MIT) совершила прорыв, разработав
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +16