Исследователи MIT разработали новый метод интеграции GaN-транзисторов в кремниевые чипы

/ Новости / Технологии
Исследователи MIT разработали новый метод интеграции GaN-транзисторов в кремниевые чипы По мере приближения производителей микросхем к физическим пределам кремния, исследователи ищут способы повышения производительности и энергоэффективности за счёт комбинирования различных материалов. Группа учёных из Массачусетского технологического института (MIT) совершила прорыв, разработав
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +16