Samsung впервые внедряет 3D-транзисторы в чипы памяти

Samsung впервые внедряет 3D-транзисторы в чипы памяти С момента, когда Intel впервые представила транзисторы FinFET на 22-нм технологическом процессе, логические чипы официально вступили в 3D-эру. Теперь Samsung планирует первой внедрить технологию 3D-транзисторов в чипах флеш-памяти.FinFET — это транзистор с трёхмерной структурой, напоминающей
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0