Исследователи из Университета Фудань (Китай) совершили прорыв в области технологий памяти, разработав флеш-устройство «PoX» с рекордной скоростью работы. Устройство демонстрирует время чтения/записи всего 400 пикосекунд (менее 1 наносекунды), что эквивалентно примерно 2,5 млрд операций в секунду.
Читать дальше →