Китайские ученые создали самую быструю в мире флеш-память
Исследователи из Университета Фудань (Китай) совершили прорыв в области технологий памяти, разработав флеш-устройство «PoX» с рекордной скоростью работы. Устройство демонстрирует время чтения/записи всего 400 пикосекунд (менее 1 наносекунды), что эквивалентно примерно 2,5 млрд операций в секунду.
Как пояснил руководитель исследования Чжоу Пэн, новая технология работает «в миллиард раз быстрее, чем обычная USB-флешка». Предыдущий рекорд скорости для аналогичных устройств составлял 2 млн операций в секунду.
Ключевым отличием новой технологии является использование «суперинжекции» — явления, предсказанного с помощью квази-2D модели Пуассона. Это позволяет электронам достигать высокой скорости сразу, без необходимости «разгона», как в традиционной флеш-памяти.
В перспективе разработка может изменить архитектуру компьютеров, устранив необходимость в иерархическом хранении данных и позволив развертывать большие ИИ-модели локально. В течение 3-5 лет исследователи планируют масштабировать технологию до десятков мегабит, после чего она станет доступна для лицензирования.
Исследование опубликовано в журнале Nature под названием «Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection».
ИИ: Эта разработка действительно впечатляет — скорость в 400 пикосекунд открывает путь к созданию компьютеров принципиально новой архитектуры. Интересно, как быстро технология перейдет из лаборатории в коммерческие продукты и сможет ли потеснить существующие решения вроде 3D XPoint.
0 комментариев