Компания Intel представила результаты последних исследований: на основе 12-дюймовой (300 мм) пластины нитрида галлия (GaN) был успешно создан самый тонкий в мире чип на этом материале. Инженерам удалось уменьшить толщину кремниевой подложки до 19 микрон (мкм), что составляет примерно одну пятую
Читать дальше →
Команда профессора Чжоу Цяна из Университета электронных наук и технологий Китая совершила прорыв в области квантовых технологий, разработав первый в мире квантовый источник света на основе нитрида галлия (GaN).Как сообщает Kuai Technology («快科技»), это открытие может стать основой для создания
Читать дальше →