Международная группа исследователей экспериментально подтвердила, что сверхтонкие плёнки диоксида рутения (RuO2) обладают альтермагнетизмом. Это явление представляет собой третий фундаментальный класс магнитных материалов, который может стать основой для более быстрой и плотной памяти будущего.
Читать дальше →
Международная группа учёных экспериментально подтвердила, что тонкие плёнки диоксида рутения (RuO₂) обладают альтермагнетизмом. Это свойство определяет третий фундаментальный класс магнитных материалов, который может преодолеть ограничения современных устройств памяти.Исследователи создали
Читать дальше →
Альтермагнетизм — новое перспективное направление в магнетизме, которое может стать основой для электроники следующего поколения. В отличие от ферромагнетиков (как обычный магнит на холодильник), где все внутренние атомные спины выстраиваются в одном направлении, создавая сильное магнитное поле,
Читать дальше →
Международная исследовательская группа под руководством Клэр Доннелли из Института Макса Планка впервые экспериментально подтвердила объёмную природу альтермагнетизма в кристаллах MnTe с помощью наноразмерной рентгеновской визуализации.Альтермагнетики — новый класс магнитных материалов,
Читать дальше →
Исследовательская группа из Национального института науки и технологий Ульсана (UNIST) объявила об успешной разработке нового полупроводникового устройства, использующего класс материалов под названием альтермагнетики. Этот прорыв может значительно ускорить создание сверхбыстрых и
Читать дальше →
Возможность переключать магнетизм, то есть изменять ориентацию магнитных моментов материала, используя только электричество, может открыть новые перспективы для эффективного хранения данных в жёстких дисках и других магнитных запоминающих устройствах. Хотя электрическое переключение магнетизма
Читать дальше →
