Galaxy S26 Ultra получит значительный прирост производительности благодаря новой памяти Micron и Snapdragon 8 Elite 2

Хотя презентация линейки Samsung Galaxy S26 состоится только в 2026 году, в сеть уже просочились данные о серьёзных изменениях по сравнению с текущим флагманом. Если серия S25 делала упор на функции ИИ, то S26 Ultra получит существенное усиление аппаратной части — особенно в области оперативной памяти.

Известный инсайдер Ice Universe сообщил, что Galaxy S26 Ultra оснастят новейшими модулями LPDDR5X от Micron с тактовой частотой 10,7 Гбит/с. Это значительный рост по сравнению с S25 Ultra, где используется память 9,6 Гбит/с. Разница может казаться незначительной в повседневных задачах, но при высокой нагрузке — например, в играх или интенсивном многозадачном режиме — более быстрая память обеспечит стабильную и плавную работу.

Технология 1γ (1-gamma) DRAM, применённая в новых чипах, предлагает повышенную энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением 1β (1-beta). Это означает не только лучшую производительность, но и сниженное энергопотребление, что на практике может увеличить время автономной работы.

Galaxy S26 Ultra 10.7Gbps LPDDR5X
— PhoneArt (@UniverseIce) 8 августа 2025

Ускоренная память будет поддерживать новые ИИ-функции, которые Samsung планирует внедрить в 2026 году. Galaxy S26 Ultra получит процессор Snapdragon 8 Elite 2 — сочетание этих компонентов обеспечит существенный прирост вычислительной мощности по сравнению с предшественником. Конкуренция в сегменте премиальных смартфонов становится всё жёстче, и производители делают ставку на более быструю память и улучшенные накопители. Samsung стремится не только сохранить темп, но и задать новый стандарт производительности Android в 2026 году, объединив высокую мощность с улучшенной энергоэффективностью.