Intel начинает строительство нового завода в Санта-Кларе для производства передовых чипов

Подразделение Intel Foundry официально расширяет свои производственные возможности на территории США. В самом сердце Кремниевой долины, в Санта-Кларе, состоялась церемония закладки первого камня нового высокотехнологичного предприятия компании.

На мероприятии присутствовало высшее руководство корпорации во главе с генеральным директором Лип-Бу Таном, а также вице-президенты и директора, ответственные за развитие технологий и операции по маскированию. Инвестиции начинаются в соответствии с объявленным графиком, предусматривающим начало работ в середине 2026 года, и являются прямым ответом на растущее доверие внешних клиентов к текущим и будущим литографическим процессам американского производителя.

Новые объекты являются частью масштабного плана расширения кампуса Bowers в Санта-Кларе, объявленного несколько месяцев назад, площадью почти 10 тысяч квадратных метров. Проект предусматривает возведение двух современных трехэтажных зданий, которые будут полностью посвящены производственным процессам, передовому изготовлению и центральным системам коммунального обслуживания.

Завод будет играть ключевую роль в производстве фотолитографических масок, необходимых для литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV), что технологически необходимо для внедрения будущих производственных процессов, таких как 18A-P и 14A. Именно эти ключевые решения должны привлечь широкий круг заказчиков, заинтересованных в современных техпроцессах, передовой интеграции микросхем и стеклянных подложках для ядер процессоров.

Инвестиции имеют не только технологический, но и стратегический и имиджевый аспект. Новая инфраструктура сильно поддерживает продвигаемую компанией нарратив о производстве, осуществляемом на родной земле, под лозунгом «Сделано в США». Эти действия подтверждают долгосрочную приверженность Intel развитию экосистемы полупроводников в Калифорнии, укрепляя доверие партнеров и обеспечивая бренду прочную позицию в гонке за лидерство на рынке современных микросхем.