Kioxia опередила Samsung и SK Hynix: старт производства 332-слойной NAND-памяти

Компания Kioxia опередила Samsung и SK Hynix, представив график массового производства 332-слойной флеш-памяти 3D NAND. Производство десятого поколения BiCS10 станет главным стратегическим приоритетом компании на 2026 финансовый год.

Kioxia официально объявила, что массовое производство флеш-памяти BiCS10 3D NAND десятого поколения начнется в период с мая 2026 года по март 2027 года.

По техническим характеристикам, BiCS10 использует архитектуру с 332 слоями ячеек памяти, что на 52% больше, чем у текущего поколения BiCS8 с 218 слоями. Плотность битов увеличилась на 59%.

Благодаря интерфейсу Toggle DDR 6.0 скорость передачи данных ввода-вывода выросла с 3,6 Гбит/с у предыдущего поколения до 4,8 Гбит/с, что представляет собой прирост примерно на 33%. Энергопотребление при вводе снижено на 10%, а при выводе — на 34%. В стандартном режиме TLC один чип может обеспечить емкость хранения до 2 Тбит.

В этом чипе используется архитектура CMOS Direct Bonded Array (CBA), при которой логические схемы и массивы памяти изготавливаются на разных пластинах, а затем соединяются. Такая конструкция позволяет добиться баланса между плотностью и надежностью без необходимости использования более сложной архитектуры PLC.

Что касается производственных мощностей, Kioxia распределит задачи по выпуску BiCS10 на новом заводе K2 в городе Китаками, префектура Иватэ, Япония. Завод оснащен оборудованием, специально разработанным для высокослойной NAND-флеш-памяти, что позволило значительно сократить капитальные затраты по сравнению со строительством нового предприятия.

Стоит отметить, что Kioxia пока не получила крупных подтвержденных заказов, и контуры соответствующих инвестиций прояснятся только во второй половине 2026 года. Разрыв между графиком массового производства и фактическими объемами поставок остается самым большим фактором неопределенности в планах Kioxia.