Дочерняя компания SoftBank и Intel получили субсидии от правительства Японии на разработку революционной памяти ZAM

Компания SAIMEMORY, дочернее предприятие SoftBank Corp., совместно с Intel объявила, что японская организация NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) отобрала проект по разработке перспективной памяти ZAM для государственного субсидирования. Субсидии могут покрыть значительную часть затрат на разработку.

ZAM (Z-Angle Memory) — это потенциальная альтернатива существующим технологиям памяти для ИИ, которая позиционируется как энергоэффективная высокоскоростная память HBM. Проект был отобран в рамках программы NEDO по развитию инфраструктуры после 5G (Post-5G Infrastructure Enhancement R&D Project).

Новость стала очередным этапом развития проекта, который изначально опирался на исследования, поддержанные правительством США, внутренние разработки Intel и стремление SoftBank расширить инфраструктуру ИИ. В основе ZAM лежат более ранние достижения в области укладки и соединения микросхем памяти, разработанные при участии США, а Intel создала ключевые технологии укладки и соединения DRAM.

SoftBank основала SAIMEMORY в 2024 году для коммерциализации таких архитектур, стремясь занять место на рынке памяти вместо того, чтобы полагаться на существующих поставщиков. Intel стала техническим партнёром, а RIKEN помогает в оценке и системной интеграции.

Изображение: Getty Images / Justin Sullivan

Движущая сила всех этих усилий — растущие ограничения в системах ИИ, связанные с памятью. Современные ИИ-нагрузки требуют огромной пропускной способности между процессорами и памятью. Хотя GPU быстро развиваются, системы памяти за ними не поспевают. Текущее стандартное решение — HBM (высокоскоростная память), но у неё есть недостатки: сложное и дорогое производство, зависимость от точной укладки кристаллов и ограниченное предложение от нескольких производителей.

ZAM (сама по себе разновидность DRAM) предлагает иную структуру. В отличие от традиционной HBM, ZAM использует вертикальную архитектуру с другим пространственным расположением и «беспроводным» (неконтактным) соединением между слоями памяти, что улучшает тепловые характеристики за счёт уменьшения физических ограничений.

В SAIMEMORY утверждают, что конструкция может обеспечить более высокую эффективную плотность, увеличенную пропускную способность и снижение энергопотребления примерно на 40% по сравнению с традиционной HBM.

Если ZAM оправдает ожидания, она сможет напрямую конкурировать с HBM на огромном и быстрорастущем рынке, снизить энергопотребление в центрах обработки данных ИИ и ослабить ограничения предложения за счёт более масштабируемого производства.

Однако технология пока находится на ранней стадии прототипирования. Массовое производство ожидается не ранее 2029 года. Исторически многие «перспективные» концепции памяти так и не вышли за рамки лабораторных демонстраций, так что ключевой неопределённостью остаётся выполнение.

Программа при поддержке NEDO рассчитана примерно на 3,5 года. SAIMEMORY планирует инвестировать около 8 миллиардов иен (около 5 млн долларов США или 400 млн рублей) до 2027 финансового года для создания рабочих прототипов. Долгосрочная цель — наладить массовое производство к 2029 году.

Это означает, что ZAM находится в цикле следующего поколения памяти, а не станет немедленной заменой текущим HBM. Пока же действующие производители продолжают развивать HBM с большим количеством слоёв и повышенной эффективностью.

Поддержка NEDO знаменует намерение японского правительства вернуться на рынок чипов и полупроводников на фоне взрывного роста спроса на ИИ — рынок, где Япония когда-то доминировала, пока тайваньские и южнокорейские производители не захватили долю.

«Мы считаем выбор этого проекта в рамках программы NEDO важной вехой в демонстрации всему миру японской технологии памяти следующего поколения. ZAM представляет собой инновационную архитектуру, обеспечивающую как производительность, так и энергоэффективность, необходимые в эпоху ИИ, с учётом ускоряющегося суперцикла ИИ. Благодаря сотрудничеству с Intel, RIKEN и нашими инвесторами, а также другими отечественными и международными партнёрами, мы стремимся внести вклад в укрепление глобальной конкурентоспособности японской полупроводниковой промышленности»

Источник: Tomshardware.com