Самсунг представила технологию сверхвысокой плотности упаковки: 4 ТБ на одном чипе!

Компания Samsung представила обновлённую дорожную карту для своих сверхплотных твердотельных накопителей (SSD). Благодаря новой технологии ультраплотной упаковки, к 2027 году планируется выпуск SSD шестого поколения формата E3.S объёмом 256 ТБ.

Ключевой прорыв заключается в переходе на новый уровень упаковки чипов. Как видно на представленных изображениях, текущая технология упаковки 16 кристаллов (Die) уже достигла зрелости.

Новое поколение технологии 32-кристальной упаковки, с использованием 32 кристаллов QLC ёмкостью 1 Тбит каждый, позволяет создать упаковку ёмкостью 4 ТБ на одном модуле. Это напрямую ведёт к удвоению ёмкости всего накопителя.

Согласно дорожной карте, SSD сверхвысокой плотности в форм-факторе EDSFF отличаются более тонким, широким, быстрым и плотным дизайном.

Продукты пятого поколения E3.S используют память 2 Тбит в конфигурации 32DP 16 для достижения ёмкости 128 ТБ. Шестое поколение E3.S, запланированное на 2027 год, перейдёт на конфигурацию 2 Тбит 32DP 32, что выведет ёмкость одного накопителя на уровень 256 ТБ.

Интересный факт: Форм-фактор E3.S (Enterprise and Datacenter SSD Form Factor) специально разработан для современных центров обработки данных и серверов, предлагая улучшенное охлаждение, плотность размещения и производительность по сравнению с традиционными 2,5-дюймовыми дисками. Достижение таких ёмкостей, как 256 ТБ, в одном устройстве может кардинально изменить архитектуру хранения данных, значительно сократив занимаемое пространство и энергопотребление в дата-центрах.