Samsung ускоряет разработку Exynos 2700: образцы уже созданы, массовое производство намечено на вторую половину 2026 года

По данным медиа, Samsung уверенно продвигает разработку своего следующего мобильного процессора Exynos 2700, и уже начато производство образцов.

Компания планирует завершить первоначальный этап производства образцов к июню 2026 года, чтобы обеспечить всестороннюю оптимизацию производительности для последующих продуктов. Согласно плану, чип перейдет в стадию массового производства во второй половине 2026 года.

Exynos 2700 будет производиться по передовому техпроцессу SF2P, который является итерацией после процесса SF2, использованного в Exynos 2600.

Согласно официальным данным, по сравнению с предыдущим поколением, процесс SF2P обеспечивает 12% прирост производительности, снижение энергопотребления на 25% и уменьшение площади кристалла на 8%, что закладывает прочную основу для энергоэффективности процессора.

Рыночный анализ указывает, что если Exynos 2700 на техпроцессе SF2P сможет добиться прорыва в выходе годных кристаллов, он может занять более 50% доли поставок SoC для серии Galaxy S27, запуск которой ожидается в начале 2027 года.

В случае успеха это поможет Samsung Electronics значительно сократить зависимость от закупок процессора Snapdragon 8 Gen 6 Ultimate Edition, что позволит эффективно контролировать общую стоимость следующего поколения флагманских смартфонов.

Что касается архитектуры, кодовое имя Exynos 2700 — «Ulysses». Его CPU-часть использует инновационную четырехкластерную архитектуру «4+1+4+1» и полностью переходит на новые ядра Arm на базе технологии C2, включая C2-Ultra и C2-Pro.

Благодаря новой архитектуре и техпроцессу, максимальная тактовая частота CPU может достигать 4.2 ГГц, ожидается прирост IPC (инструкций за такт) примерно на 35%, что сулит значительный скачок производительности.

В части GPU, как ожидается, будет использоваться Xclipse 940. Сообщается, что этот графический процессор может быть кастомизирован на основе еще не анонсированной архитектуры AMD RDNA 5, что делает его графические возможности весьма многообещающими.

Кроме того, чип будет поддерживать память нового поколения LPDDR6 и накопители UFS 5.0, чтобы соответствовать высоким требованиям будущих флагманских устройств к скорости передачи данных.

Также для поддержания стабильной работы при высокой производительности Samsung внедрила инновации в технологиях охлаждения и корпусирования.

Благодаря внедрению унифицированного модуля теплового пути на основе медного радиатора, данное решение способно обеспечить эффективное охлаждение как для памяти DRAM, так и для AP (процессора приложений), что может решить проблему перегрева высокопроизводительных мобильных чипов.