Samsung представила прорывную технологию памяти NAND с энергопотреблением на 96% ниже

Samsung на протяжении многих лет является одним из ведущих производителей памяти DRAM и NAND, но последнее достижение компании может иметь для рынка еще большее значение, чем предстоящий стандарт LPDDR6, который мы увидим на выставке CES 2026. Корейский гигант разработал новый тип памяти NAND flash, которая потребляет на 96% меньше энергии, чем современные решения. В мире, где спрос на память растет из года в год, такая экономия энергии может оказаться революционной.

Прорыв был описан в публикации «Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory» в престижном журнале Nature, подготовленной 34 исследователями. Ключ кроется в применении сегнетоэлектрических транзисторов (FeFET). Изначально изучались оксидные полупроводники — они не подходили для сверхпроизводительных чипов из-за высокого порогового напряжения, но именно этот недостаток оказался преимуществом при проектировании новой памяти NAND.

Упрощенно объясняя — сегнетоэлектрические транзисторы блокируют токи ниже порогового напряжения, что позволяет почти полностью ограничить ток утечки, являющийся одним из основных источников потребления энергии в памяти NAND. Чем выше и плотнее структуры NAND, тем больше энергетические потери при чтении и записи. Новая конструкция минимизирует их почти до нуля, даже при большом количестве последовательно соединенных ячеек.

Экономия на уровне 96% может полностью изменить рынок. Наибольшую выгоду от этого получат отрасли, где память работает непрерывно и под большой нагрузкой:

– серверы искусственного интеллекта и дата-центры, где потребление энергии растет лавинообразно

– ноутбуки и мобильное оборудование, требующие высокой производительности при низком энергопотреблении

– смартфоны с increasingly крупными моделями ИИ, работающими локально

Если новая технология поступит в производство, она реально может продлить время работы смартфонов или планшетов от батареи без необходимости увеличения емкости элементов — а именно энергоемкость памяти начинает становиться одним из новых ограничителей мобильной производительности. Samsung пока не сообщила никаких сроков коммерциализации. Пока рынок ждет дебюта памяти UFS 5.0, которая должна дать очередное ускорение в смартфонах с 2026 года. Если новая технология NAND не столкнется с задержками, а при таких крупных инновациях всегда существует риск, она может стать одним из важнейших элементов нового поколения мобильного оборудования.