Samsung разработала память LPDDR6 с пропускной способностью 10.7 Гбит/с на 12 нм техпроцессе

Компания Samsung представила новое поколение энергоэффективной памяти LPDDR6 для мобильных устройств. Модули, созданные по 12-нанометровому техпроцессу, обеспечивают рекордную скорость передачи данных до 10.7 Гбит/с.

Инженеры Samsung увеличили количество каналов ввода-вывода и внедрили систему динамической регулировки мощности, которая в реальном времени оптимизирует энергопотребление в зависимости от рабочей нагрузки. В память также встроены расширенные функции безопасности для защиты целостности данных во всех приложениях.

Интересно, что улучшенная версия LPDDR5X от Samsung также достигает скорости 10.7 Гбит/с, которая стала стартовой точкой для нового стандарта LPDDR6.

Как и в случае перехода от DDR4 к DDR5, финальные конфигурации памяти предыдущего поколения часто приближаются по производительности к первому поколению нового стандарта. При этом Samsung заявляет о 21% улучшении энергоэффективности LPDDR6 по сравнению с LPDDR5X. Это означает, что устройства смогут достигать той же пропускной способности и скорости, потребляя на пятую часть меньше энергии.

Ожидается, что будущие итерации LPDDR6 достигнут скоростей до 14 Гбит/с, превзойдя даже самые быстрые разогнанные чипы LPDDR5X. Подробности о новой памяти должны быть раскрыты в рамках выставки CES, где Samsung продемонстрирует устройства, работающие на LPDDR6.

Разработка нового стандарта памяти особенно важна для флагманских смартфонов, планшетов и ультрабуков, где сочетание высокой производительности и энергоэффективности является критически важным. Внедрение LPDDR6 может значительно увеличить время автономной работы мобильных устройств без компромиссов в скорости.