Exynos 2600 удивляет результатами тестов: Samsung догоняет Apple по производительности одного ядра

Samsung активно ускоряет тестирование своего будущего чипа Exynos 2600, который должен появиться в серии Galaxy S26. Последняя утечка из базы Geekbench 6 демонстрирует результаты, которые еще несколько месяцев назад казались маловероятными. Инженерный образец процессора набрал в тесте одного ядра 4217 баллов, что практически сравняло его с Apple M5 — чипом, используемым в ноутбуках. Это серьезный сигнал о том, что Samsung наконец-то может прервать многолетнее доминирование Apple в этой категории.

Тестируемый Exynos 2600 работал в конфигурации из десяти ядер, где самое мощное из них было разогнано до 4,20 ГГц. Остальные производительные ядра работали на частоте 3,56 ГГц, а энергоэффективные — около 2,76 ГГц. В такой конфигурации чип также набрал 13482 балла в многопоточном тесте, показав заметное ускорение по сравнению с предыдущими результатами этого же чипа. По сравнению с предыдущим тестом Exynos 2600 улучшил производительность на 22% в single-core и на 16% в multi-core, что демонстрирует интенсивную работу Samsung над расширением возможностей новой архитектуры.

Важно отметить, что предыдущие замеры также указывали на значительное улучшение энергоэффективности. Благодаря переходу на 2 нм техпроцесс GAA, чип в тестах потреблял даже более чем в два раза меньше энергии, чем Apple A19 Pro, завершая полную нагрузку при потреблении около 7,6 Вт. Если эти результаты подтвердятся в потребительских устройствах, мы получим не только мощный, но и более холодный Exynos, чем когда-либо прежде.

Премьера серии Galaxy S26 запланирована на февраль 2026 года, и только тогда мы узнаем, как Exynos 2600 справляется в реальных условиях — под нагрузкой, в играх и при длительной работе без троттлинга. Однако уже сейчас кажется, что у Samsung есть шанс выпустить на рынок самый мощный мобильный процессор, который он когда-либо создавал, и впервые за много лет по-настоящему побороться за лидерство с Apple и Qualcomm.

Интересный факт: переход Samsung на 2 нм техпроцесс GAA (Gate-All-Around) является частью гонки за нанометрами в полупроводниковой индустрии. Эта технология позволяет создавать более компактные и энергоэффективные транзисторы по сравнению с традиционными FinFET-структурами, что критически важно для мобильных устройств, где на первый план выходит баланс между производительностью и временем автономной работы.