Exynos 2600 на 2-нм техпроцессе значительно опережает Snapdragon 8 Elite Gen 5 в тесте Geekbench

Следующий флагманский чипсет от Samsung, возможно, дал самый сильный намёк на то, что серия Galaxy S26 может преподнести серьёзный сюрприз в плане производительности. Новые результаты в тесте Geekbench 6 с предполагаемого инженерного образца Exynos 2600 указывают на то, что первый 2-нм чип Samsung с архитектурой GAA не просто конкурентоспособен — он вырывается вперёд по вычислительной мощности CPU, значительно опережая Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Согласно цифрам, опубликованным пользователем Twitter под ником @lafaiel, Exynos 2600 набрал 4217 баллов в одноядерном тесте и 13 482 балла в многоядерном. Для сравнения: Snapdragon 8 Elite Gen 5 — альтернативный чип Samsung для линейки S26 в таких регионах, как США и Китай, — набрал в том же тесте на смартфоне iQOO 15 3824 и 12 402 балла соответственно. Это означает существенный прирост производительности для Exynos примерно на 10% в одноядерном и на 8% в многоядерном тесте, по крайней мере, согласно этим ранним испытаниям.

Утечка также раскрыла агрессивные тактовые частоты инженерного образца Exynos 2600. Десятиядерный процессор работал в конфигурации 1 + 3 + 6, где ведущее ядро разогналось до 4,20 ГГц, ядра производительности — до 3,56 ГГц, а энергоэффективные ядра — до 2,76 ГГц. Samsung явно исследует пределы возможностей своего первого 2-нм чипа, однако пока не ясно, будут ли такие частоты в финальных коммерческих устройствах.

Есть один нюанс: при прямой проверке базы данных Geekbench найти эту запись не удалось. Это может означать, что она была удалена или цифры были изменены перед распространением. Тем не менее, если результаты точны, версии Galaxy S26 с Exynos могут не просто сократить отставание, но и превзойти свои аналоги на Snapdragon по чистой производительности.

Однако главный вопрос остаётся без ответа — мы по-прежнему не знаем о энергопотреблении. И сколь бы впечатляющими ни выглядели эти результаты, они всё ещё являются лишь синтетическими тестами. У чипов Exynos долгая история блестящих результатов на ранних тестах, но отставания от вариантов на Snapdragon, когда в игру вступают реальные температурные режимы и стабильная производительность. Инженерные образцы также могут быть агрессивно настроены или тестироваться с системами охлаждения, которые никогда не появятся в потребительских смартфонах. Пока мы не узнаем условия тестирования и пока не появятся розничные устройства, к этим цифрам лучше относиться как к многообещающим, но далёким от окончательных.

Интересный факт: переход на 2-нм техпроцесс с архитектурой GAA (Gate-All-Around) считается следующим крупным шагом в полупроводниковой индустрии после 3-нм, так как он позволяет разместить ещё больше транзисторов на той же площади кристалла, что потенциально ведёт к росту производительности и энергоэффективности.