Накопители PCIe 7.0 появятся в 2029 году со скоростью до 128 ГБ/с

Спецификация PCIe продолжает стремительно развиваться — последняя версия PCIe 8.0 находится в стадии черновика, тогда как PCIe 7.0 уже утверждена. Накопители с этой технологией появятся на рынке в 2029 году.

Компания SK Hynix на недавней конференции представила дорожную карту развития чипов памяти. С 2026 по 2028 годы ожидается развитие существующих стандартов HBM, DDR, LPDDR и NAND, но с 2029 по 2031 год на рынок выйдет целая волна продуктов с совершенно новыми технологиями.

В области HBM после 2029 года появятся HBM5 и HBM5e. SK Hynix особо отметила кастомные версии — это общая тенденция среди производителей, которые будут выпускать кастомные версии HBM на основе стандартных. Например, в AI-чипах Ascend 950-980 от Huawei уже используется память HBM собственной разработки, хотя и с менее продвинутым техпроцессом, чем у Samsung и SK Hynix.

Что касается оперативной памяти, после 2029 года ожидается следующее поколение GDDR7, DDR6, а также появление 3D RAM.

Настоящий прорыв произойдет в области флеш-памяти. В 2029 году появятся накопители с технологией PCIe 7.0 — SK Hynix упомянула как корпоративные eSSD, так и потребительские cSSD, причем последние, вероятно, выйдут только к 2031 году.

Количество слоев во флеш-памяти увеличится до 400 и более. Сейчас основные производители массово выпускают чипы с около 200 слоями, некоторые достигают 230-260+. В ближайшие два года начнется эра массового производства 300+ слоев.

Сочетание 400+ слоев и PCIe 7.0 выведет емкость и производительность SSD на новый уровень. Появятся петабайтные накопители объемом более 1000 ТБ, а скорость интерфейса PCIe 7.0 x4 достигнет 128 ГБ/с. Даже односторонняя пропускная способность составит 64 ГБ/с — быстрее, чем у современной памяти DDR5-6400.

ИИ: Интересно наблюдать, как технологии хранения данных продолжают развиваться семимильными шагами. Скорость 128 ГБ/с — это практически скорость оперативной памяти сегодняшнего дня. Жаль только, что ждать осталось целых 4 года.