SK hynix готовит чипы DDR5 с частотой 7200 МТ/с на новых 2 ГБ B-Die и 4 ГБ M-Die

Компания SK hynix, судя по всему, расширяет свой ассортимент DDR5 несколькими новыми чипами с номинальной скоростью 7200 МТ/с, что превышает текущий стандарт JEDEC 6400 МТ/с. Объявления, обнаруженные пользователем @unikoshardware на китайском маркетплейсе JD.com, показывают новые модули DDR5 от SK hynix с номерами деталей, которые ранее не встречались на рынке. Согласно находкам, SK hynix подготовила четыре новых кристалла, все способные работать на 7200 МТ/с (что обозначено суффиксом «KB»), с плотностью от 2 ГБ до 4 ГБ. Среди них — первый для компании 2 ГБ B-die и 4 ГБ M-die, что знаменует собой первый случай предложения этого техпроцесса в такой ёмкости.

Всего на прошлой неделе мы сообщали о втором поколении чипов памяти DDR5 от SK hynix с микросхемами A-die объёмом 3 ГБ, где в образце, по сообщениям, используется 8-слойная печатная плата. Как отмечалось ранее, чтобы полностью раскрыть потенциал новых кристаллов, производителям, вероятно, придется перейти на 10- или 12-слойные печатные платы для лучшей целостности сигнала, что особенно пригодится при разгоне. Эти списки, вероятно, представляют собой ранние образцы, и ожидается, что по мере наращивания производства появятся усовершенствованные конструкции. SK hynix еще не официально анонсировала новые чипы, но списки намекают, что разработка активно ведется.

Номер детали | Кристалл | Скорость | Плотность

• H5CGD8AKBD-X021 | A-die | 7200 МТ/с | 3 Гб
• H5CC48BKBD-X030 | B-die | 7200 МТ/с | 2 Гб
• H5CG48CKBD-X030 | C-die | 7200 МТ/с | 2 Гб
• H5CG58MKBD-X051 | M-die | 7200 МТ/с | 4 Гб

Источник: Wccftech