SK hynix объявила о рекордных финансовых результатах за третий квартал 2025 года

Южнокорейская компания SK hynix объявила о финансовых результатах за третий квартал 2025 года, показав рекордные показатели за всю свою историю. Выручка составила 24,45 трлн вон, операционная прибыль достигла 11,38 трлн вон (операционная маржа 47%), а чистая прибыль — 12,6 трлн вон (чистая маржа 52%).

Рекордные результаты обусловлены ростом цен на DRAM и NAND, а также увеличением поставок высокопроизводительной продукции для ИИ-серверов. В частности, операционная прибыль впервые в истории компании превысила 10 трлн вон.

Спрос на память резко вырос из-за расширения инвестиций клиентов в ИИ-инфраструктуру. SK hynix увеличила продажи высокомаржинальных продуктов, таких как 12-слойный HBM3E и DDR5 для серверов. Поставки высокоёмких модулей DDR5 объёмом 128 ГБ и более удвоились по сравнению с предыдущим кварталом. В сегменте NAND значительно расширилась доля eSSD для ИИ-серверов, которые продаются с премией.

Благодаря сильным результатам, денежные средства и их эквиваленты компании на конец третьего квартала увеличились на 10,9 трлн вон и достигли 27,9 трлн вон. При этом процентные обязательства составили 24,1 трлн вон, что позволило компании впервые выйти на положительное чистое денежное положение в 3,8 трлн вон.

По мере смещения рынка ИИ в сторону рабочих нагрузок, связанных с выводом (inference), растёт интерес к распределению вычислительных нагрузок ИИ-серверов на более широкую инфраструктуру, включая обычные серверы. Эта тенденция, как ожидается, дальше расширит спрос на всю линейку памяти, включая высокопроизводительные DDR5 и eSSD.

SK hynix планирует ускорить переход на передовой 1cнм процесс (шестое поколение 10-нанометровой технологии), который уже стабильно производится серийно. Это позволит компании создать полную линейку DRAM для серверных, мобильных и графических решений и гибко реагировать на потребности клиентов за счёт расширения поставок. В сегменте NAND компания также увеличит выпуск продуктов с рекордными 321 слоями (TLC и QLC).

Между тем, компания завершила переговоры с ключевыми клиентами по поставкам HBM на следующий год. HBM4, разработка которого была завершена в сентябре и начато серийное производство, полностью соответствует требованиям клиентов по производительности и поддерживает рекордные скорости в отрасли. Поставки начнутся в четвёртом квартале этого года, а полномасштабное расширение продаж запланировано на следующий год.

Более того, на фоне растущего спроса на память для ИИ, компания уже полностью удовлетворила спрос клиентов на всю свою продукцию DRAM и NAND на следующий год.

Чтобы удовлетворить более высокий, чем ожидалось, спрос клиентов, SK hynix планирует расширить производственные мощности через фабрику M15X, где недавно начался монтаж оборудования после досрочного открытия нового чистого помещения, и ускорить переход на передовые технологические процессы.

В результате инвестиции на следующий год, как ожидается, увеличатся по сравнению с текущим годом, что отражает приверженность компании стратегии инвестиций, ориентированной на рынок.

«С инновациями в области ИИ-технологий рынок памяти перешёл к новой парадигме, и спрос начал распространяться на все продуктовые области, — заявил Ким Ухён, финансовый директор SK hynix. — Мы и далее будем укреплять наше лидерство в области памяти для ИИ, отвечая на потребности клиентов с помощью передовых продуктов и уникальных технологических возможностей».

SK hynix является одним из крупнейших в мире производителей полупроводниковой памяти и ключевым поставщиком высокопропускной памяти (HBM) для систем искусственного интеллекта. Компания активно конкурирует с Samsung и Micron на быстрорастущем рынке решений для дата-центров.