Первые утечки о Snapdragon 8 Elite Gen 6 раскрыли кодовые названия чипов

Qualcomm только что представила Snapdragon 8 Elite Gen 5, но цикл слухов уже перескочил на 2026 год. По информации известного инсайдера Digital Chat Station, компания внутренне готовит свои следующие флагманские мобильные чипы — Snapdragon 8 Elite Gen 6 и Snapdragon 8 Gen 6.

Последняя утечка раскрывает внутренние кодовые названия систем-на-кристалле: SM8975 для 8 Elite Gen 6 и SM8950 для стандартного 8 Gen 6. Для сравнения, текущие модели 8 Elite Gen 5 и 8 Gen 5 имеют идентификаторы SM8850 и SM8845.

Ожидается, что чипы будут производиться по новому 2-нм техпроцессу и сохранят новую стратегию наименований для серии Snapdragon 8.

Пока это вся информация о поколении Gen 6. Тем временем, Gen 5 дает представление о том, куда движется развитие. Новейший чип Qualcomm работает на базе процессора Oryon третьего поколения с основным ядром, работающим на частоте до 4,6 ГГц.

Компания заявляет о 20-процентном приросте производительности и до 35% лучшей энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением.

Графический процессор также демонстрирует 23-процентный рост производительности и более высокие тактовые частоты для игр с трассировкой лучей. Искусственный интеллект на устройстве обрабатывается более быстрым нейропроцессором Hexagon, который обещает на 37% большую пропускную способность. Для создателей контента процессор изображений Spectra и поддержка кодека Advanced Professional Video (APV) открывают возможности для практически беспотерьной записи видео в формате 8K.

И последнее, но не менее важное: Qualcomm использует новый модем X85 для подключения 5G. Xiaomi уже выпустила свои флагманские смартфоны серии 17 с этим чипом, а OnePlus, Vivo, iQOO, Oppo, Realme и Honor, как ожидается, представят устройства на новой платформе в конце 2025 — начале 2026 года.

Интересный факт: переход на 2-нм техпроцесс, который ожидается в Snapdragon 8 Elite Gen 6, станет значительным шагом в миниатюризации полупроводников. Этот процесс позволит разместить еще больше транзисторов на той же площади кристалла, что потенциально может привести к революционным улучшениям как в производительности, так и в энергоэффективности мобильных устройств будущего.