SK Hynix начала массовое производство 321-слойной памяти QLC NAND

SK Hynix объявила о начале массового производства нового решения памяти — 321-слойной QLC NAND Flash емкостью 2 Тб. Это первая в мире реализация технологии QLC, преодолевшая барьер в 300 слоев. Это огромный шаг вперед в плотности размещения памяти и производительности, который в ближайшие месяцы появится в персональных компьютерах, а позже — в серверах ИИ и смартфонах.

Компания подчеркивает, что новая память NAND не только увеличивает емкость SSD-накопителей, но и значительно улучшает параметры производительности. Благодаря увеличению количества так называемых «planes» (операционных единиц внутри чипа) с 4 до 6, чип может выполнять больше операций параллельно, что дает реальные преимущества:

– 2-кратное ускорение передачи данных по сравнению с предыдущими поколениями QLC,

– до 56% лучше производительность записи,

– на 18% более быстрый чтение,

– более чем на 23% выше энергоэффективность записи, что имеет огромное значение для центров обработки данных и серверов ИИ, где важно низкое энергопотребление.

Начало массового производства позволяет нам значительно усилить портфель продуктов высокой емкости и обеспечить конкурентоспособность цен. Для нас это важная веха на пути к позиции полного поставщика памяти для ИИ — заявил Чон Вупё, глава отдела разработки NAND в SK Hynix.

Новая память была разработана на основе технологии 32DP (32-чиповая укладка), позволяющей размещать до 32 чипов NAND в одном корпусе. Благодаря этому SK Hynix сможет предложить накопители eSSD сверхвысокой емкости, необходимые в эпоху генеративного искусственного интеллекта и гигантских баз данных. Первые применения новой технологии мы увидим в SSD для ПК, но производитель анонсирует, что на следующем этапе память 321L QLC появится в корпоративных SSD для центров обработки данных, а также в UFS для смартфонов.