Infineon запускает производство 300-мм пластин GaN, пока TSMC уходит с рынка

Компания Infineon объявила, что производство силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) идет по графику, подтвердив, что фабрика по выпуску 300-мм пластин начнет поставлять образцы клиентам в четвертом квартале 2025 года. Немецкий производитель полупроводников стал первой компанией, успешно интегрировавшей технологию 300-мм пластин GaN в существующую инфраструктуру массового производства, достигнув увеличения выхода чипов на пластину в 2,3 раза по сравнению с традиционными 200-мм процессами.

Infineon планирует воспользоваться прогнозируемым годовым ростом рынка на 36%, при этом ожидается, что к 2030 году объем рынка GaN-устройств достигнет $2,5 млрд (~207 млрд руб.), согласно анализу Yole Group. Время объявления оказалось стратегически выверенным, поскольку TSMC заявила о планах закрыть свои производственные линии GaN и демонтировать оборудование в течение двух лет, создав значительный вакуум на рынке.

«Наша масштабированная 300-мм производственная линия использует существующие инвестиции Infineon в инфраструктуру, одновременно поддерживая быстрое расширение мощностей для новых применений, включая блоки питания для ИИ-систем, автомобильные зарядные системы и промышленные системы управления двигателями», — подчеркнул Йоханнес Шойсволь, руководитель направления GaN в Infineon.

Новое производство решает ключевую задачу отрасли: масштабирование выпуска GaN при сохранении конкурентоспособности по стоимости с кремниевыми аналогами. Интегрированная модель Infineon (IDM) обеспечивает полный контроль процесса — от изготовления пластин до поставки готовых продуктов, что, по прогнозам компании, позволит достичь паритета цен между сопоставимыми кремниевыми и GaN-устройствами.

Стратегический уход TSMC из сегмента GaN указывает на то, что компания сосредоточена на высокомаржинальных логических процессорах, оставляя специализированным производителям силовых полупроводников, таким как Infineon, доминировать на растущем рынке GaN. В этом сегменте GaN предлагает превосходную плотность мощности, скорость переключения и тепловые характеристики, обеспечивая ощутимые преимущества на системном уровне по сравнению с традиционными кремниевыми решениями.

Источник: Infineon