UNIS разрабатывает быстрый накопитель M.2 Gen 5
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Tachyum показала DRAM для ИИ на Prodigy FPGAРост выручки в отрасли DRAM в 4К24Micron объявляет о поставке 1γ (1-гамма) DRAM: первого узла EUV-памяти компанииВедущие производители DRAM могут прекратить выпуск DDR4 и DDR3 к концу 2025 годаKIOXIA выпустила ПО AiSAQ для снижения потребности в DRAM
Диск оснащен контроллером SSD собственной разработки UNIS, который использует технологию HMB (буфер памяти хоста). Помимо максимальной скорости чтения 14,9 ГБ/с, диск обеспечивает максимальную скорость последовательной записи 12,9 ГБ/с — также одну из самых высоких в отрасли — и производительность произвольного доступа 4K до 1,8 млн операций чтения IOPS с записью до 1,7 млн операций IOPS. Заявленная производительность делает UNIS S5 значительно быстрее любого SSD-накопителя DRAMless Gen 5, причем самые быстрые из таких дисков обеспечивают скорость последовательной передачи около 12 ГБ/с; и быстрее, чем диски на базе платформы контроллера с кэшированием DRAM. Например, недавно выпущенный Samsung 9100 PRO обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,8 ГБ/с, но при более высокой скорости последовательной записи до 13,4 ГБ/с. На фотографии ниже изображен UNIS S5 Ultra — флагманский накопитель компании, работающий на базе фирменного контроллера с кэшированием DRAM.
Источник: Tom's Hardware
1 комментарий