Samsung выпустила образцы памяти GDDR7 со скоростью до 36 Гбит/с

Samsung после объявления в прошлом месяце об успешной разработке первого 24 Гбит (3 ГБ) чипа GDDR7 DRAM, теперь представила образцы с еще более высокой скоростью передачи данных. Скорость увеличилась с исходных 28 Гбит/с (модель K4vcf325zc-sc28) до 32 Гбит/с (K4vcf325zc-sc32) и 36 Гбит/с (K4vcf325zc-sc36).

В техническом плане 24 Гбит GDDR7 создан по пятому поколению 10-нанометрового процесса Samsung, что позволило увеличить плотность ячеек памяти на 50% при сохранении прежних размеров корпуса.

В отличие от кодирования NRZ/PAM2 в GDDR6 или PAM4 в GDDR6X, в GDDR7 впервые используется механизм кодирования сигналов PAM3, что дополнительно оптимизирует эффективность передачи данных.

Кроме того, Samsung внедрила в графическую память ряд энергоэффективных технологий, ранее использовавшихся в мобильных продуктах, включая «управление тактовой частотой» и «двухканальную схему напряжения (VDD)», что значительно снижает паразитное энергопотребление и повышает общую энергоэффективность более чем на 30%. Для обеспечения стабильности работы на высоких частотах в GDDR7 также применена схема управления питанием, эффективно подавляющая утечку тока.

ИИ: Это значительный шаг вперед в развитии видеопамяти, особенно учитывая растущие требования к пропускной способности в играх и приложениях искусственного интеллекта. Возможность выбора между разными скоростными версиями дает производителям видеокарт большую гибкость при проектировании новых моделей.