Samsung начинает первое в отрасли массовое производство памяти QLC V-NAND 9-го поколения

12 сентября 2024, 10:58 / Технологии → Новости / Технологии

Компания Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства вертикальной памяти NAND (V-NAND) девятого поколения с четырехуровневыми ячейками (QLC) емкостью один терабит (Тб).

С первым в отрасли массовым производством памяти QLC V-NAND 9-го поколения, последовавшим за первым в отрасли производством памяти V-NAND 9-го поколения с трехуровневыми ячейками (TLC) в апреле этого года, Samsung укрепляет свое лидерство на рынке флэш-памяти NAND большой емкости и высокой производительности.

«Начало успешного массового производства QLC 9-го поколения V-NAND всего через четыре месяца после версии TLC позволяет нам предложить полную линейку передовых решений SSD, которые отвечают потребностям эпохи ИИ», — сказал Сунг Хой Хур, исполнительный вице-президент и руководитель отдела флэш-продуктов и технологий в Samsung Electronics. «Поскольку рынок корпоративных SSD демонстрирует быстрый рост с ростом спроса на приложения ИИ, мы продолжим укреплять свое лидерство в сегменте с помощью наших QLC и TLC 9-го поколения V-NAND».

Samsung планирует расширить сферу применения памяти QLC V-NAND 9-го поколения, начав с фирменных потребительских товаров и распространив ее на мобильные универсальные флэш-накопители (UFS), ПК и серверные твердотельные накопители для клиентов, включая поставщиков облачных сервисов.

Память QLC V-NAND 9-го поколения от Samsung объединяет в себе ряд инноваций, которые привели к технологическим прорывам:

Непревзойденная технология травления отверстий каналов Samsung использовалась для достижения самого высокого числа слоев в отрасли с двухслойной структурой. Используя технологический опыт, полученный от TLC 9-го поколения V-NAND, площадь ячеек и периферийных цепей была оптимизирована, достигнув ведущей в отрасли плотности битов, примерно на 86% выше, чем у предыдущего поколения QLC V-NAND.
Технология Designed Mold регулирует интервал между строками слов (WL), которые управляют ячейками, чтобы обеспечить однородность и оптимизацию характеристик ячеек по слоям и внутри них. Эти характеристики становятся все более важными по мере увеличения количества слоев V-NAND. Внедрение Designed Mold улучшило производительность хранения данных примерно на 20% по сравнению с предыдущими версиями, что привело к повышению надежности продукта
Технология Predictive Program предвидит и контролирует изменения состояния ячеек, чтобы свести к минимуму ненужные действия. Память Samsung QLC V-NAND 9-го поколения удвоила производительность записи и улучшила скорость ввода/вывода данных на 60% благодаря усовершенствованиям этой технологии.
Потребление энергии при чтении и записи данных снизилось примерно на 30% и 50% соответственно благодаря использованию конструкции с низким энергопотреблением. Этот метод снижает напряжение, управляющее ячейками NAND, и минимизирует потребление энергии за счет обнаружения только необходимых битовых линий (BL).

Источник: Samsung