Ленточный модуль ReRAM Weebit Nano и DB HiTek, выполненный по 130-нм процессу BCD

Weebit Nano Limited, ведущий разработчик и лицензиар передовых технологий памяти для мировой полупроводниковой промышленности, и ведущий производитель полупроводников DB HiTek записали (запустили в производство) демонстрационный чип, интегрирующий встроенную резистивную память с произвольным доступом Weebit (ReRAM или RRAM) в 130-нм процессе Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) DB HiTek. Высокоинтегрированные демонстрационные чипы будут использоваться для тестирования и квалификации перед производством для клиентов, демонстрируя при этом производительность и надежность технологии Weebit.

Эта важная веха в сотрудничестве Weebit и DB HiTek (ранее объявленная 19 октября 2023 г.) была завершена в установленные сроки в рамках процесса передачи технологий. Компании работают над тем, чтобы сделать Weebit ReRAM доступным для клиентов DB HiTek для интеграции в их системы на чипах (SoC) в качестве встроенной энергонезависимой памяти (NVM) и стремятся к тому, чтобы технология прошла сертификацию и была готова к производству во втором квартале 2019 года. 2025 календарный год. Weebit ReRAM теперь доступен избранным клиентам DB HiTek для создания прототипов перед производством.

130-нм процесс BCD компании DB HiTek идеально подходит для аналоговых, смешанных и высоковольтных разработок в таких приложениях, как потребительские, промышленные устройства и устройства Интернета вещей. Для этих приложений Weebit ReRAM представляет собой экономичную, маломощную NVM, которую легко интегрировать и которая доказала отличное сохранение при высоких температурах. ReRAM предлагает значительные преимущества перед флэш-памятью для процессов BCD, поскольку это технология back-end-of-line (BEOL), которая не требует значительной настройки процесса. Weebit ReRAM также обеспечивает более высокую плотность и долговечность по сравнению с традиционными технологиями многовременного программирования (MTP).

Коби Ханох, генеральный директор Weebit Nano, сказал: «Этот этап подтверждает, что мы приступаем к квалификации нашей ReRAM в процессе BCD DB HiTek в соответствии с графиком, делая технологию доступной для обширной клиентской базы этого ведущего литейного завода. Мы уже ведем ранние переговоры по внедрению. с несколькими клиентами DB HiTek, которые заинтересованы во интеграции ReRAM в свои SoC. Одной из областей интересов являются интегральные схемы интеллектуального управления питанием (PMIC), где интеграция PMIC с микроконтроллером (MCU) на одном кристалле может привести к повышению производительности, безопасности и мощности. и ценовые преимущества».

Ки-Сог Чо, генеральный директор DB HiTek, сказал: «Многие из наших клиентов, особенно те, кто занимается управлением питанием и высоковольтными конструкциями, стремятся получить преимущества встроенной ReRAM. Weebit ReRAM будет предоставлять клиентам, использующим наш 130-нм процесс BCD. с маломощным, экономичным и высокой плотностью NVM. А переходя от двухчипового решения к однокристальному, они могут сэкономить затраты и мощность, а также уменьшить сложность и размер. С нами сложились прекрасные рабочие отношения. Weebit, и мы рады продолжить это многообещающее сотрудничество».

После прохождения сертификации DB HiTek добавит модуль памяти Weebit в свой комплект проектирования процесса BCD 130 нм (PDK). Клиенты DB HiTek могут использовать стандартные модули PDK или настраивать модули в соответствии со своими потребностями.

Демонстрационный чип включает в себя модуль ReRAM емкостью 1 МБ, который при необходимости можно масштабировать до другой плотности. Этот полностью интегрированный модуль также включает в себя всю необходимую логику управления, интеллектуальные алгоритмы, декодеры, IO (элементы связи ввода/вывода) и код исправления ошибок (ECC). Он разработан с использованием уникальных запатентованных аналоговых и цифровых схем, использующих интеллектуальные алгоритмы, которые значительно улучшают технические параметры массива памяти. Этот модуль ReRAM дополнительно интегрирован в демонстрационный чип и включает полную подсистему для встроенных приложений, включая модуль Weebit ReRAM, микроконтроллер RISC-V, SRAM, периферийные устройства и системные интерфейсы, включая SPI, UART, JTAG и GPIO.

Источник: Weebit Nano