STMicroelectronics построит первый в мире завод по производству карбида кремния

Французско-итальянская многонациональная технологическая компания STMicroelectronics получит грант в размере 2 млрд евро (2,2 млрд долларов США) от правительства Италии на строительство предприятия по производству чипов на Сицилии. По данным New Electronics, этот завод станет первым в мире полностью интегрированным заводом по производству полупроводников карбида кремния (SiC) и предназначен для создания микрочипов для электромобилей. Стоимость строительства оценивается в 5 млрд евро.

Reuters сообщает, что грант подпадает под инвестиционные усилия ЕС по созданию внутренней инфраструктуры производства чипов, аналогичные американскому Закону о чипах и Большому фонду Китая. Эти огромные инвестиции в производство микрочипов подчеркивают, насколько важными стали полупроводники для мировой экономики, особенно с учетом того, что нехватка чипов во время глобальной пандемии 2020 года выявила уязвимость отраслей с оборотом в триллион долларов.

STMicroelectronics — первая компания, получившая одобрение на получение грантов ЕС, но Intel и TSMC также подают заявки на эти гранты для своих проектов в Германии. Комиссар ЕС по вопросам конкуренции Маргрет Вестагер сказала: «Я думаю, что нам действительно важно это сделать, потому что это также сигнализирует остальному миру о том, что вам не следует наращивать потенциал, думая, что вы можете владеть этим рынком, потому что для нас стратегически важно не зависеть от одного поставщика.».

По словам Вестагер, одобрение гранта STMicroelectronic показывает, насколько ЕС намерен иметь несколько источников для удовлетворения своих потребностей в чипах. Она добавила: «Я абсолютно уверена, что будет больше инвестиций и в других штатах, и я думаю, что они также появятся относительно скоро, но я не могу сказать вам (когда)».

Но помимо этих инвестиций, что делает эту разработку интересной, так это ее ориентация на SiC. Вместо использования традиционной кремниевой пластины STMicroelectronics будет использовать карбид кремния, который обладает лучшими качествами с точки зрения твердости, теплопроводности и теплового расширения. Это делает его очень подходящим для автомобильного и промышленного применения, включая солнечные элементы и центры обработки данных искусственного интеллекта.

Развитие технологии SiC идет рука об руку с другими исследованиями посткремниевых чипов. Это очень важно, особенно с учетом того, что закон Мура, согласно которому количество транзисторов в чипах будет удваиваться каждые два года, замедляется до каждые три года. Новое предприятие ST Microelectronics призвано объединить все исследования и разработки компании в области SiC-чипов, включая работу над процессами, дизайном продукции, упаковкой и многим другим. Эти чипы также будут создаваться в одном и том же месте, что позволит более гладко осуществлять исследования, разработки и производство.

STMicroelectronics ожидает, что завод начнет производить полупроводники SiC к 2026 году, и ему потребуется семь лет, чтобы выйти на полную мощность и производить 15 000 пластин карбида кремния в неделю, когда он работает на полную мощность.