Утечка предполагает, что разработка DDR6 уже началась с целью достичь скорости 21 ГТ/с
Переход — процесс перемещения из одного положения либо состояния к другому; также место либо сооружение, пригодное или предназначенное для такого перемещения: Википедия
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Планы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAMОжидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBMНовый глава полупроводникового бизнеса Samsung ElectronicsУмер «отец DRAM» Роберт ДеннардSK Hynix построит новый завод в Южной Корее
Слайд, происхождение которого неизвестно (но он напоминает слайды одной из крупнейших высокотехнологичных компаний), указывает на то, что скорость передачи данных для DDR6 значительно улучшится по сравнению с DDR5, поскольку, как утверждается, она начинается с 8,8 ГТ/с. и достигнет 17,6 ГТ/с. Существует также возможность дальнейшего увеличения этих скоростей, потенциально достигая 21 ГТ/с.
К сожалению, на слайде не описано, как будут достигаться такие скорости передачи, поскольку на данный момент даже стандарт сигнализации (PAM или NRZ) еще не определен, но предварительные разговоры предполагают предпочтение NRZ, который кажется слишком высоким для 17,6 ГТ/с – 21 ГТ/с.
Сообщается, что по состоянию на второй квартал 2023 года целевые группы были сформированы для сосредоточения внимания на нескольких ключевых аспектах, важных для разработки DDR6. К ним относятся определение параметров регистра режима, механизмов обновления, конфигурации выводов и создание таблицы истинности команд. Кроме того, рабочая группа изучила топологии команд/адресов модулей и схемы адресации (проектирование и организация маршрутизации командных и адресных сигналов внутри модулей памяти, что влияет на производительность, целостность сигналов и энергопотребление), которые жизненно важны для физической и логической организации. модулей памяти. Другие важные темы для обсуждения включали передачу сигналов боковой полосы и восстановление после упаковки (PDA). Сигнализация боковой полосы связана с дополнительными путями передачи данных для улучшения связи, тогда как PDA фокусируется на механизмах восстановления, повышающих надежность и срок службы модулей памяти. Каждая из этих областей имеет решающее значение для обеспечения надежности и эффективности памяти DDR6.
Неясно, завершила ли целевая группа(ы), занимающаяся разработкой DDR6, свою работу. Однако на слайде довольно четко обозначен график разработки памяти DDR6: ожидается, что первоначальный проект будет готов в 2024 году. После этого ожидается, что спецификация 1.0 будет завершена примерно ко второму кварталу 2025 года.
На слайде не раскрывается, когда его авторы ожидают начала перехода на DDR5, хотя переход на DDR5 начался в 2021 году, примерно через год после публикации окончательной спецификации стандарта. Если предположить, что спецификация DDR6 будет завершена во втором квартале 2025 года, переход на эту технологию может начаться уже во второй половине 2026 года. Однако это может быть слишком рано, поскольку в ближайшие годы и AMD, и Intel планируют внедрить довольно сложную технологию. Память на базе MRDIMM и MCRDIMM DDR5 для их серверных платформ, и в этом году им не понадобится DRAM следующего поколения.
0 комментариев