Samsung разрабатывает модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ со скоростью до 7,2 Гбит/с
Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия
Читайте также:Samsung получила от Apple около 120 миллионов заказов на OLED-панели для iPadХарактеристики Samsung Galaxy M52 5G замечены в GeekbenchOLED-панели Samsung LTPO 120 Гц для серии iPhone 13 Pro находятся в производствеSamsung представит сгибаемый дисплей на SID 2021Samsung объединяет усилия с Hyundai Motors в разработке чипов для автомобилей
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Википедия
Читайте также:Тест памяти DDR5-4800 МГц – на 53% быстрее, чем DDR4G.Skill презентовала планки памяти Trident Z DDR4 в пяти цветовых вариантах
Компания Samsung разработала последнюю версию модулей памяти DDR5 для сегмента центров обработки данных, которая имеет емкость 512 ГБ. Это достигается за счет реализации конструкции DRAM с 8 стеками, в которой используется стек 8-Hi TSV (через кремниевые переходники). Высота стопки составляет 1,0 мм, а в модуле памяти всего 20 стопок, разделенных на два основных канала. Стеки DDR5 TSV также уменьшают зазор между матрицами на 40% за счет использования тонких пластин. Также реализованы ключевые технологии, такие как безошибочное соединение для TSV и улучшенная охлаждающая способность с меньшим сопротивлением воздушного потока.
Samsung также обещает самые быстрые скорости памяти: DDR5 достигает 7200 Мбит/с при напряжении 1,1 В. Общие улучшения включают в себя повышение производительности на 40%, увеличение скорости в 2,2 раза, увеличение объема памяти вдвое, и все это в 0,92 раза выше, чем у DDR4. По сравнению с DDR4, DDR5 обеспечивает на 18% более высокую эффективность шины. Более высокая эффективность достигается за счет PMIC (встроенное управление питанием). PMIC уменьшает потребность в работе с низким напряжением, и Samsung также использует процесс затвора High-K Metal, который является первым для DRAM EDP (Electronic Data Processing).
Некоторые особенности также включают встроенный ECC, повышенную частоту ошибок по битам, что приводит к более надежной и безопасной обработке данных. Samsung заявляет, что не останавливается на 512 ГБ DDR5. Компания также намекнула на модули памяти DDR5 с терабайтной емкостью для серверов следующего поколения и ожидают, что DDR5 станет основным стандартом к 2023–2024 годам.
0 комментариев