Samsung разрабатывает модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ со скоростью до 7,2 Гбит/с

ТехнологииНовости / Технологии

На HotChips 33 компания Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

Читайте также:Samsung получила от Apple около 120 миллионов заказов на OLED-панели для iPadХарактеристики Samsung Galaxy M52 5G замечены в GeekbenchOLED-панели Samsung LTPO 120 Гц для серии iPhone 13 Pro находятся в производствеSamsung представит сгибаемый дисплей на SID 2021Samsung объединяет усилия с Hyundai Motors в разработке чипов для автомобилей

объявила о разработке первого в отрасли модуля памяти DDR5 объемом 512 ГБ, работающего со скоростью вывода до 7,2 Гбит/с.
Решение памяти DDR5, предложенное Samsung, превосходит DDR4

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Википедия

Читайте также:Тест памяти DDR5-4800 МГц – на 53% быстрее, чем DDR4G.Skill презентовала планки памяти Trident Z DDR4 в пяти цветовых вариантах

по следующим четырем аспектам: производительность, скорость, емкость и мощность. Как отмечает Samsung, существует постоянная потребность в увеличении емкости и производительности в сегменте центров обработки данных. С DDR5 DRAM Samsung выводит вещи на новый уровень.

Компания Samsung разработала последнюю версию модулей памяти DDR5 для сегмента центров обработки данных, которая имеет емкость 512 ГБ. Это достигается за счет реализации конструкции DRAM с 8 стеками, в которой используется стек 8-Hi TSV (через кремниевые переходники). Высота стопки составляет 1,0 мм, а в модуле памяти всего 20 стопок, разделенных на два основных канала. Стеки DDR5 TSV также уменьшают зазор между матрицами на 40% за счет использования тонких пластин. Также реализованы ключевые технологии, такие как безошибочное соединение для TSV и улучшенная охлаждающая способность с меньшим сопротивлением воздушного потока.

Samsung также обещает самые быстрые скорости памяти: DDR5 достигает 7200 Мбит/с при напряжении 1,1 В. Общие улучшения включают в себя повышение производительности на 40%, увеличение скорости в 2,2 раза, увеличение объема памяти вдвое, и все это в 0,92 раза выше, чем у DDR4. По сравнению с DDR4, DDR5 обеспечивает на 18% более высокую эффективность шины. Более высокая эффективность достигается за счет PMIC (встроенное управление питанием). PMIC уменьшает потребность в работе с низким напряжением, и Samsung также использует процесс затвора High-K Metal, который является первым для DRAM EDP (Electronic Data Processing).

Некоторые особенности также включают встроенный ECC, повышенную частоту ошибок по битам, что приводит к более надежной и безопасной обработке данных. Samsung заявляет, что не останавливается на 512 ГБ DDR5. Компания также намекнула на модули памяти DDR5 с терабайтной емкостью для серверов следующего поколения и ожидают, что DDR5 станет основным стандартом к 2023–2024 годам.

Подписаться на обновления Новости / Технологии

0 комментариев

Оставить комментарий